上一页 1 ··· 80 81 82 83 84 85 86 87 88 ··· 126 下一页
摘要: 编辑:ll 20N65-ASEMI高压N沟道MOS管20N65 型号:20N65 品牌:ASEMI 封装:TO-220 最大漏源电流:20A 漏源击穿电压:650V RDS(ON)Max:0.42Ω 引脚数量:3 芯片个数: 沟道类型:N沟道MOS管、高压MOS管 漏电流:ua 特性:N沟道MOS管 阅读全文
posted @ 2023-03-13 10:21 ASEMI首芯 阅读(146) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 编辑:ll 16N65-ASEMI高压N沟道MOS管16N65 型号:16N65 品牌:ASEMI 封装:TO-220 最大漏源电流:16A 漏源击穿电压:650V RDS(ON)Max:0.17Ω 引脚数量:3 沟道类型:N沟道MOS管 芯片尺寸:MIL 漏电流: 恢复时间:5ns 芯片材质: 封 阅读全文
posted @ 2023-03-13 10:05 ASEMI首芯 阅读(148) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 编辑:ll 12N65-ASEMI高压N沟道MOS管12N65 型号:12N65 品牌:ASEMI 封装:TO-220 最大漏源电流:12A 漏源击穿电压:650V RDS(ON)Max:0.68Ω 引脚数量:3 芯片个数: 沟道类型:N沟道MOS管、高压MOS管 漏电流:ua 特性:N沟道MOS管 阅读全文
posted @ 2023-03-11 13:18 ASEMI首芯 阅读(131) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 编辑:ll 10N65-ASEMI高压N沟道MOS管10N65 型号:10N65 品牌:ASEMI 封装:TO-220 最大漏源电流:10A 漏源击穿电压:650V RDS(ON)Max:0.9Ω 引脚数量:3 沟道类型:N沟道MOS管 芯片尺寸:MIL 漏电流: 恢复时间:5ns 芯片材质: 封装 阅读全文
posted @ 2023-03-11 10:23 ASEMI首芯 阅读(136) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 编辑:ll 7N65-ASEMI高压N沟道MOS管7N65 型号:7N65 品牌:ASEMI 封装:TO-220 最大漏源电流:7A 漏源击穿电压:650V RDS(ON)Max:1.35Ω 引脚数量:3 芯片个数: 沟道类型:N沟道MOS管、高压MOS管 漏电流:ua 特性:N沟道MOS管、场效应 阅读全文
posted @ 2023-03-10 11:10 ASEMI首芯 阅读(161) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 编辑:ll 4N65-ASEMI高压N沟道MOS管4N65 型号:4N65 品牌:ASEMI 封装:TO-220 最大漏源电流:4A 漏源击穿电压:650V RDS(ON)Max:2.5Ω 引脚数量:3 沟道类型:N沟道MOS管 芯片尺寸:MIL 漏电流: 恢复时间:5ns 芯片材质: 封装尺寸:如 阅读全文
posted @ 2023-03-10 10:15 ASEMI首芯 阅读(167) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 编辑:ll 16N60-ASEMI高压N沟道MOS管16N60 型号:16N60 品牌:ASEMI 封装:TO-220 最大漏源电流:16A 漏源击穿电压:600V RDS(ON)Max:0.17Ω 引脚数量:3 芯片个数: 沟道类型:N沟道MOS管、高压MOS管 漏电流:ua 特性:N沟道MOS管 阅读全文
posted @ 2023-03-09 14:36 ASEMI首芯 阅读(253) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 编辑:ll 12N60-ASEMI高压N沟道MOS管12N60 型号:12N60 品牌:ASEMI 封装:TO-220 最大漏源电流:12A 漏源击穿电压:600V RDS(ON)Max:0.68Ω 引脚数量:3 沟道类型:N沟道MOS管 芯片尺寸:MIL 漏电流: 恢复时间:5ns 芯片材质: 封 阅读全文
posted @ 2023-03-09 13:23 ASEMI首芯 阅读(294) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 编辑:ll 10N60-ASEMI高压N沟道MOS管10N60 型号:10N60 品牌:ASEMI 封装:TO-220 最大漏源电流:10A 漏源击穿电压:600V RDS(ON)Max:0.85Ω 引脚数量:3 芯片个数: 沟道类型:N沟道MOS管、高压MOS管 漏电流:ua 特性:N沟道MOS管 阅读全文
posted @ 2023-03-08 10:36 ASEMI首芯 阅读(264) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 编辑:ll 7N60-ASEMI高压N沟道MOS管7N60 型号:7N60 品牌:ASEMI 封装:TO-220 最大漏源电流:7A 漏源击穿电压:600V RDS(ON)Max:1.2Ω 引脚数量:3 沟道类型:N沟道MOS管 芯片尺寸:MIL 漏电流: 恢复时间:5ns 芯片材质: 封装尺寸:如 阅读全文
posted @ 2023-03-08 10:13 ASEMI首芯 阅读(128) 评论(0) 推荐(0)
上一页 1 ··· 80 81 82 83 84 85 86 87 88 ··· 126 下一页