ASEMI首芯

2023年3月7日

摘要：编辑：ll AO3415-ASEMI低压P沟道MOS管AO3415 型号：AO3415 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 最大漏源电流：-5A 漏源击穿电压：-20V RDS（ON）Max：0.055Ω 引脚数量：3 芯片个数：沟道类型：P沟道MOS管、低压MOS管漏电流：ua 特性：P沟道阅读全文

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4N60-ASEMI高压N沟道MOS管4N60

摘要：编辑：ll 4N60-ASEMI高压N沟道MOS管4N60 型号：4N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 最大漏源电流：4A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：2.5Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL 漏电流：恢复时间：5ns 芯片材质：封装尺寸：阅读全文

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2023年3月6日

AO3401-ASEMI低压P沟道MOS管AO3401

摘要：编辑：ll AO3401-ASEMI低压P沟道MOS管AO3401 型号：AO3401 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 最大漏源电流：-4.2A 漏源击穿电压：-30V RDS（ON）Max：0.05Ω 引脚数量：3 芯片个数：沟道类型：P沟道MOS管、低压MOS管漏电流：ua 特性：P沟阅读全文

posted @ 2023-03-06 11:25 ASEMI首芯阅读(331) 评论(0) 推荐(0)

AO3400-ASEMI中低压N沟道MOS管AO3400

摘要：编辑：ll AO3400-ASEMI中低压N沟道MOS管AO3400 型号：AO3400 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 最大漏源电流：5.8A 漏源击穿电压：30V RDS（ON）Max：0.033Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL 漏电流：恢复时间：5ns 芯片阅读全文

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2023年3月4日

SI2302-ASEMI低压N沟道MOS管SI2302

摘要：编辑：ll SI2302-ASEMI低压N沟道MOS管SI2302 型号：AO3401 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 最大漏源电流：2.9A 漏源击穿电压：20V RDS（ON）Max：0.045Ω 引脚数量：3 芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管漏电流：ua 特性：N沟道阅读全文

posted @ 2023-03-04 15:10 ASEMI首芯阅读(316) 评论(0) 推荐(0)

SI2301-ASEMI中低压P沟道MOS管SI2301

摘要：编辑：ll SI2301-ASEMI中低压P沟道MOS管SI2301 型号：SI2301 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 最大漏源电流：-2.2A 漏源击穿电压：-20V RDS（ON）Max：0.13Ω 引脚数量：3 沟道类型：P沟道MOS管芯片尺寸：MIL 漏电流：恢复时间：5ns 芯阅读全文

posted @ 2023-03-04 14:38 ASEMI首芯阅读(368) 评论(0) 推荐(0)

2023年2月23日

AO3401-ASEMI低压P沟道MOS管AO3401

摘要：编辑：ll AO3401-ASEMI低压P沟道MOS管AO3401 型号：AO3401 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 最大漏源电流：-4.2A 漏源击穿电压：-30V RDS（ON）Max：0.05Ω 引脚数量：3 芯片个数：沟道类型：P沟道MOS管、低压MOS管漏电流：ua 特性：N沟阅读全文

posted @ 2023-02-23 10:38 ASEMI首芯阅读(363) 评论(0) 推荐(0)

ASE40N50SH-ASEMI高压N沟道MOS管ASE40N50SH

摘要：编辑：ll ASE40N50SH-ASEMI高压N沟道MOS管ASE40N50SH 型号：ASE40N50SH 品牌：ASEMI 封装：TO-2247 最大漏源电流：40A 漏源击穿电压：500V RDS（ON）Max：0.1Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL 漏电流：恢阅读全文

posted @ 2023-02-23 10:09 ASEMI首芯阅读(44) 评论(0) 推荐(0)

2023年2月22日

ASE0510SH-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE0510SH

摘要：编辑：ll ASE0510SH-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE0510SH 型号：ASE0510SH 品牌：ASEMI 封装：SOT-89 最大漏源电流：5A 漏源击穿电压：100V RDS（ON）Max：0.14Ω 引脚数量：3 芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管漏电流：阅读全文

posted @ 2023-02-22 10:31 ASEMI首芯阅读(30) 评论(0) 推荐(0)

ASE65R330-ASEMI高压N沟道MOS管ASE65R330

摘要：编辑：ll ASE65R330-ASEMI高压N沟道MOS管ASE65R330 型号：ASE65R330 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 最大漏源电流：12.5A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：0.33mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL 漏电流：阅读全文

posted @ 2023-02-22 09:44 ASEMI首芯阅读(58) 评论(0) 推荐(0)

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