ASEMI首芯

摘要： 编辑：ll 10N60-ASEMI高压N沟道MOS管10N60 型号：10N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220 最大漏源电流：10A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：0.85Ω 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管 阅读全文

摘要： 编辑：ll 7N60-ASEMI高压N沟道MOS管7N60 型号：7N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220 最大漏源电流：7A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：1.2Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 芯片材质： 封装尺寸：如 阅读全文

摘要： 编辑：ll AO3415-ASEMI低压P沟道MOS管AO3415 型号：AO3415 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 最大漏源电流：-5A 漏源击穿电压：-20V RDS（ON）Max：0.055Ω 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：P沟道MOS管、低压MOS管 漏电流：ua 特性：P沟道 阅读全文

摘要： 编辑：ll 4N60-ASEMI高压N沟道MOS管4N60 型号：4N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 最大漏源电流：4A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：2.5Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 芯片材质： 封装尺寸： 阅读全文

摘要： 编辑：ll AO3401-ASEMI低压P沟道MOS管AO3401 型号：AO3401 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 最大漏源电流：-4.2A 漏源击穿电压：-30V RDS（ON）Max：0.05Ω 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：P沟道MOS管、低压MOS管 漏电流：ua 特性：P沟 阅读全文

摘要： 编辑：ll AO3400-ASEMI中低压N沟道MOS管AO3400 型号：AO3400 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 最大漏源电流：5.8A 漏源击穿电压：30V RDS（ON）Max：0.033Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 芯片 阅读全文

摘要： 编辑：ll SI2302-ASEMI低压N沟道MOS管SI2302 型号：AO3401 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 最大漏源电流：2.9A 漏源击穿电压：20V RDS（ON）Max：0.045Ω 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道 阅读全文

摘要： 编辑：ll SI2301-ASEMI中低压P沟道MOS管SI2301 型号：SI2301 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 最大漏源电流：-2.2A 漏源击穿电压：-20V RDS（ON）Max：0.13Ω 引脚数量：3 沟道类型：P沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 芯 阅读全文

摘要： 编辑：ll AO3401-ASEMI低压P沟道MOS管AO3401 型号：AO3401 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 最大漏源电流：-4.2A 漏源击穿电压：-30V RDS（ON）Max：0.05Ω 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：P沟道MOS管、低压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟 阅读全文

摘要： 编辑：ll ASE40N50SH-ASEMI高压N沟道MOS管ASE40N50SH 型号：ASE40N50SH 品牌：ASEMI 封装：TO-2247 最大漏源电流：40A 漏源击穿电压：500V RDS（ON）Max：0.1Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢 阅读全文