摘要: 编辑:ll 20N65-ASEMI高压N沟道MOS管20N65 型号:20N65 品牌:ASEMI 封装:TO-220 最大漏源电流:20A 漏源击穿电压:650V RDS(ON)Max:0.42Ω 引脚数量:3 芯片个数: 沟道类型:N沟道MOS管、高压MOS管 漏电流:ua 特性:N沟道MOS管 阅读全文
posted @ 2023-03-13 10:21 ASEMI首芯 阅读(131) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 编辑:ll 16N65-ASEMI高压N沟道MOS管16N65 型号:16N65 品牌:ASEMI 封装:TO-220 最大漏源电流:16A 漏源击穿电压:650V RDS(ON)Max:0.17Ω 引脚数量:3 沟道类型:N沟道MOS管 芯片尺寸:MIL 漏电流: 恢复时间:5ns 芯片材质: 封 阅读全文
posted @ 2023-03-13 10:05 ASEMI首芯 阅读(135) 评论(0) 推荐(0)