摘要: 编辑:ll 7N65-ASEMI高压N沟道MOS管7N65 型号:7N65 品牌:ASEMI 封装:TO-220 最大漏源电流:7A 漏源击穿电压:650V RDS(ON)Max:1.35Ω 引脚数量:3 芯片个数: 沟道类型:N沟道MOS管、高压MOS管 漏电流:ua 特性:N沟道MOS管、场效应 阅读全文
posted @ 2023-03-10 11:10 ASEMI首芯 阅读(147) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 编辑:ll 4N65-ASEMI高压N沟道MOS管4N65 型号:4N65 品牌:ASEMI 封装:TO-220 最大漏源电流:4A 漏源击穿电压:650V RDS(ON)Max:2.5Ω 引脚数量:3 沟道类型:N沟道MOS管 芯片尺寸:MIL 漏电流: 恢复时间:5ns 芯片材质: 封装尺寸:如 阅读全文
posted @ 2023-03-10 10:15 ASEMI首芯 阅读(151) 评论(0) 推荐(0)