2023年3月11日
12N65-ASEMI高压N沟道MOS管12N65
摘要： 编辑：ll 12N65-ASEMI高压N沟道MOS管12N65 型号：12N65 品牌：ASEMI 封装：TO-220 最大漏源电流：12A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：0.68Ω 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管 阅读全文
posted @ 2023-03-11 13:18 ASEMI首芯 阅读(117) 评论(0) 推荐(0)
10N65-ASEMI高压N沟道MOS管10N65
摘要： 编辑：ll 10N65-ASEMI高压N沟道MOS管10N65 型号：10N65 品牌：ASEMI 封装：TO-220 最大漏源电流：10A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：0.9Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 芯片材质： 封装 阅读全文
posted @ 2023-03-11 10:23 ASEMI首芯 阅读(124) 评论(0) 推荐(0)