12N65-ASEMI高压N沟道MOS管12N65

编辑：ll

12N65-ASEMI高压N沟道MOS管12N65

型号：12N65

品牌：ASEMI

封装：TO-220

最大漏源电流：12A

漏源击穿电压：650V

RDS（ON）Max：0.68Ω

引脚数量：3

芯片个数：

沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管

漏电流：ua

特性：N沟道MOS管、场效应管

工作温度：-55℃~150℃

备受欢迎的12N65 MOS管

  ASEMI品牌12N65是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了12N65的最大漏源电流12A，漏源击穿电压650V.

•细节体现差距

12N65,ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。

12N65具体参数为：最大漏源电流：12A，漏源击穿电压：650V，反向恢复时间： ns，封装：TO-220