ASEMI首芯

2023年2月21日

摘要：编辑：ll ASE140N04-ASEMI低压N沟道MOS管ASE140N04 型号：ASE140N04 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 最大漏源电流：140A 漏源击穿电压：40V RDS（ON）Max：0.04Ω 引脚数量：3 芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管漏电流：阅读全文

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ASE50N06-ASEMI低压N沟道MOS管ASE50N06

摘要：编辑：ll ASE50N06-ASEMI低压N沟道MOS管ASE50N06 型号：ASE50N06 品牌：ASEMI 封装：TO-252 最大漏源电流：50A 漏源击穿电压：60V RDS（ON）Max：5.8mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL 漏电流：恢复时间：5ns 阅读全文

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2023年2月20日

ASE20N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管ASE20N65SE

摘要：编辑：ll ASE20N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管ASE20N65SE 型号：ASE20N65SE 品牌：ASEMI 封装：TO-247 最大漏源电流：20A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：0.42Ω 引脚数量：3 芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管漏电阅读全文

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ASE50N03-ASEMI低压N沟道MOS管ASE50N03

摘要：编辑：ll ASE50N03-ASEMI低压N沟道MOS管ASE50N03 型号：ASE50N03 品牌：ASEMI 封装：TO-252 最大漏源电流：50A 漏源击穿电压：30V RDS（ON）Max：5.8mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL 漏电流：恢复时间：5ns 阅读全文

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2023年2月18日

ASEMI代理FGH60N60SFD安森美FGH60N60SFD车规级IGBT

摘要：编辑：ll ASEMI代理FGH60N60SFD安森美FGH60N60SFD车规级IGBT 型号：FGH60N60SFD 品牌：ON/安森美封装：TO-247 最大漏源电流：60A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：mΩ 引脚数量：3 特性：IGBT二极管芯片个数：沟道类型：漏电阅读全文

posted @ 2023-02-18 10:50 ASEMI首芯阅读(43) 评论(0) 推荐(0)

ASE4N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管ASE4N65SE

摘要：编辑：ll ASE4N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管ASE4N65SE 型号：ASE4N65SE 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 最大漏源电流：4A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：2.5Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL 漏电流：恢复时间：阅读全文

posted @ 2023-02-18 10:23 ASEMI首芯阅读(44) 评论(0) 推荐(0)

2023年2月17日

ASEMI代理FGH60N60SMD安森美FGH60N60SMD车规级IGBT

摘要：编辑：ll ASEMI代理FGH60N60SMD安森美FGH60N60SMD车规级IGBT 型号：FGH60N60SMD 品牌：ON/安森美封装：TO-247 最大漏源电流：60A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：mΩ 引脚数量：3 特性：IGBT二极管芯片个数：沟道类型：漏电阅读全文

posted @ 2023-02-17 13:21 ASEMI首芯阅读(71) 评论(0) 推荐(0)

ASE20N60-ASEMI高压N沟道MOS管ASE20N60

摘要：编辑：ll ASE20N60-ASEMI高压N沟道MOS管ASE20N60 型号：ASE20N60 品牌：ASEMI 封装：ITO-247 最大漏源电流：20A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：0.42Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL 漏电流：恢复时间：5 阅读全文

posted @ 2023-02-17 11:52 ASEMI首芯阅读(609) 评论(0) 推荐(0)

2023年2月16日

50N06S-ASEMI低压N沟道MOS管50N06S

摘要：编辑：ll 50N06S-ASEMI低压N沟道MOS管50N06S 型号：50N06S 品牌：ASEMI 封装：TO-252 最大漏源电流：50A 漏源击穿电压：60V RDS（ON）Max：0.15Ω 引脚数量：3 芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管漏电流：ua 特性：N沟道MO 阅读全文

posted @ 2023-02-16 11:05 ASEMI首芯阅读(72) 评论(0) 推荐(0)

4N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管4N65SE

摘要：编辑：ll 4N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管4N65SE 型号：4N65SE 品牌：ASEMI 封装：ITO-220F 最大漏源电流：4A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：2.5Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL 漏电流：恢复时间：5ns 芯片材质阅读全文

posted @ 2023-02-16 10:52 ASEMI首芯阅读(78) 评论(0) 推荐(0)

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