ASEMI首芯

2022年11月11日

摘要：编辑：ll SBT30100VCT-ASEMI低压降肖特基二极管SBT30100VCT 型号：SBT30100VCT 品牌：ASEMI 封装：TO-220AB 正向电流：30A 反向电压：100V 引线数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：94MIL 漏电流：10ua 恢复时间：5ns 浪涌电流：200 阅读全文

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SBT10100VCT-ASEMI肖特基二极管SBT10100VCT

摘要：编辑：ll SBT10100VCT-ASEMI肖特基二极管SBT10100VCT 型号：SBT10100VCT 品牌：ASEMI 封装：TO-220AB 特性：肖特基二极管正向电流：10A 反向耐压：100V 恢复时间：5ns 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：58MIL 浪涌电流：150A 阅读全文

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2022年11月10日

MBR30100CT-ASEMI大功率肖特基二极管MBR30100CT

摘要：编辑：ll MBR30100CT-ASEMI大功率肖特基二极管MBR30100CT 型号：MBR30100CT 品牌：ASEMI 封装：TO-220AB 正向电流：30A 反向电压：100V 引线数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：122MIL 漏电流：10ua 恢复时间：5ns 浪涌电流：200A 阅读全文

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MBR10200CT-ASEMI肖特基二极管MBR10200CT

摘要：编辑：ll MBR10200CT-ASEMI肖特基二极管MBR10200CT 型号：MBR10200CT 品牌：ASEMI 封装：TO-220AB 特性：肖特基二极管正向电流：10A 反向耐压：200V 恢复时间：5ns 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：86MIL 浪涌电流：150A 漏电流阅读全文

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2022年11月9日

MBR40200PT-ASEMI大功率肖特基二极管MBR40200PT

摘要：编辑：ll MBR40200PT-ASEMI大功率肖特基二极管MBR40200PT 型号：MBR40200PT 品牌：ASEMI 封装：TO-247 正向电流：40A 反向电压：200V 引线数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：130MIL 漏电流：10ua 恢复时间：5ns 浪涌电流：400A 芯片阅读全文

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MBR30200PT-ASEMI肖特基二极管MBR30200PT

摘要：编辑：ll MBR30200PT-ASEMI肖特基二极管MBR30200PT 型号：MBR30200PT 品牌：ASEMI 封装：TO-247 特性：低压降肖特基二极管正向电流：30A 反向耐压：200V 恢复时间：5ns 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：122MIL 浪涌电流：200A 漏阅读全文

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2022年11月8日

SBT20100VDC-ASEMI贴片肖特基二极管SBT20100VDC

摘要：编辑：ll SBT20100VDC-ASEMI贴片肖特基二极管SBT20100VDC 型号：SBT20100VDC 品牌：ASEMI 封装：TO-263 正向电流：20A 反向电压：100V 引线数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：87MIL 漏电流：10ua 恢复时间：5ns 浪涌电流：200A 芯阅读全文

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SBT10100VDC-ASEMI超低压降、低功耗肖特基二极管

摘要：编辑：ll SBT10100VDC-ASEMI超低压降、低功耗肖特基二极管型号：SBT10100VDC 品牌：ASEMI 封装：TO-263 特性：贴片低压降肖特基二极管正向电流：10A 反向耐压：100V 恢复时间：5ns 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：62MIL 浪涌电流：150A 阅读全文

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2022年11月7日

ASEMI代理IXYB82N120C3H1艾赛斯IGBT二极管

摘要：编辑：ll ASEMI代理IXYB82N120C3H1艾赛斯IGBT二极管型号：IXYB82N120C3H1 品牌：IXYS/艾赛斯封装：TO-264 最大漏源电流：82A 漏源击穿电压：1200V RDS（ON）Max：mΩ 引脚数量：3 特性：IGBT二极管芯片个数：沟道类型：漏电流：阅读全文

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ASEMI代理DSA300I100NA艾赛斯硅肖特基二极管

摘要：编辑：ll ASEMI代理DSA300I100NA艾赛斯硅肖特基二极管型号：DSA300I100NA 品牌：IXYS/艾赛斯封装：SOT-227B 最大漏源电流：300A 漏源击穿电压：100V RDS（ON）Max：Ω 引脚数量：3 沟道类型：芯片尺寸：MIL 漏电流：特性：硅肖特基二极管阅读全文

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