摘要: 编辑:ll 16N60-ASEMI高压N沟道MOS管16N60 型号:16N60 品牌:ASEMI 封装:TO-220 最大漏源电流:16A 漏源击穿电压:600V RDS(ON)Max:0.17Ω 引脚数量:3 芯片个数: 沟道类型:N沟道MOS管、高压MOS管 漏电流:ua 特性:N沟道MOS管 阅读全文
posted @ 2023-03-09 14:36 ASEMI首芯 阅读(237) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 编辑:ll 12N60-ASEMI高压N沟道MOS管12N60 型号:12N60 品牌:ASEMI 封装:TO-220 最大漏源电流:12A 漏源击穿电压:600V RDS(ON)Max:0.68Ω 引脚数量:3 沟道类型:N沟道MOS管 芯片尺寸:MIL 漏电流: 恢复时间:5ns 芯片材质: 封 阅读全文
posted @ 2023-03-09 13:23 ASEMI首芯 阅读(274) 评论(0) 推荐(0)