2023年3月8日
10N60-ASEMI高压N沟道MOS管10N60
摘要： 编辑：ll 10N60-ASEMI高压N沟道MOS管10N60 型号：10N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220 最大漏源电流：10A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：0.85Ω 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管 阅读全文
posted @ 2023-03-08 10:36 ASEMI首芯 阅读(233) 评论(0) 推荐(0)
7N60-ASEMI高压N沟道MOS管7N60
摘要： 编辑：ll 7N60-ASEMI高压N沟道MOS管7N60 型号：7N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220 最大漏源电流：7A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：1.2Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 芯片材质： 封装尺寸：如 阅读全文
posted @ 2023-03-08 10:13 ASEMI首芯 阅读(112) 评论(0) 推荐(0)