ASEMI首芯

2023年2月15日

摘要：编辑：ll ASE28N50-ASEMI高压MOS管ASE28N50 型号：ASE28N50 品牌：ASEMI 封装：TO-247 最大漏源电流：28A 漏源击穿电压：500V RDS（ON）Max：0.2Ω 引脚数量：3 芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管漏电流：ua 特性：N 阅读全文

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18N20-ASEMI中低压N沟道MOS管18N20

摘要：编辑：ll 18N20-ASEMI中低压N沟道MOS管18N20 型号：18N20 品牌：ASEMI 封装：ITO-252 最大漏源电流：18A 漏源击穿电压：200V RDS（ON）Max：0.18Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL 漏电流：恢复时间：5ns 芯片材质：阅读全文

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2023年2月14日

ASE60N10-ASEMI中低压MOS管ASE60N10

摘要：编辑：ll ASE60N10-ASEMI中低压MOS管ASE60N10 型号：ASE60N10 品牌：ASEMI 封装：TO-263 最大漏源电流：60A 漏源击穿电压：100V RDS（ON）Max：17Ω 引脚数量：3 芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管漏电流：ua 特性：N 阅读全文

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ASE12N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管ASE60N10

摘要：编辑：ll ASE12N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管ASE60N10 型号：ASE12N65SE 品牌：ASEMI 封装：ITO-220AB 最大漏源电流：100A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：0.68Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL 漏电流：阅读全文

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2023年2月13日

FGH60N60-ASEMI大功率IGBT管FGH60N60

摘要：编辑：ll FGH60N60-ASEMI大功率IGBT管FGH60N60 型号：FGH60N60 品牌：ASEMI 封装：TO-247 特性：IGBT管正向电流：60A 反向耐压：600V 恢复时间：<5ns 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：110MIL 浪涌电流：200A 漏电流：10ua 阅读全文

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20N65-ASEMI高压N沟道MOS管20N65

摘要：编辑：ll 20N65-ASEMI高压N沟道MOS管20N65 型号：20N65 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 最大漏源电流：100A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：0.42Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL 漏电流：恢复时间：5ns 芯片材质：阅读全文

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2023年2月10日

MDS100-16-ASEMI电机专用模块MDS100-16

摘要：编辑：ll MDS100-16-ASEMI电机专用模块MDS100-16 型号：MDS100-16 品牌：ASEMI 封装：MDS 正向电流：100A 反向电压：1600V 引脚数量：5 芯片个数：6 芯片尺寸：MIL 漏电流：>10ua 恢复时间：>500ns 浪涌电流：1200A 芯片材质：GP 阅读全文

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MDS75-16-ASEMI工业电机模块MDS75-16

摘要：编辑：ll MDS75-16-ASEMI工业电机模块MDS75-16 型号：MDS75-16 品牌：ASEMI 封装：MDS 特性：整流模块正向电流：75A 反向耐压：1600V 恢复时间：>500ns 引脚数量：5 芯片个数：6 芯片尺寸：MIL 浪涌电流：1200A 漏电流：<8mA 工作温度阅读全文

posted @ 2023-02-10 11:00 ASEMI首芯阅读(52) 评论(0) 推荐(0)

2023年2月9日

MDS55-16-ASEMI电机专用模块MDS55-16

摘要：编辑：ll MDS55-16-ASEMI电机专用模块MDS55-16 型号：MDS55-16 品牌：ASEMI 封装：MDS 正向电流：55A 反向电压：1600V 引脚数量：5 芯片个数：6 芯片尺寸：MIL 漏电流：>10ua 恢复时间：>500ns 浪涌电流：1200A 芯片材质：GPP硅芯片阅读全文

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MDQ60-16-ASEMI工业电机模块MDQ60-16

摘要：编辑：ll MDQ60-16-ASEMI工业电机模块MDQ60-16 型号：MDQ60-16 品牌：ASEMI 封装：MDQ 特性：整流模块正向电流：60A 反向耐压：1600V 恢复时间：>500ns 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：MIL 浪涌电流：1200A 漏电流：<8mA 工作温度阅读全文

posted @ 2023-02-09 10:06 ASEMI首芯阅读(38) 评论(0) 推荐(0)

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