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编辑：ll 100N10-ASEMI中低压MOS管100N10 型号：100N10 品牌：ASEMI 封装：TO-220AB 最大漏源电流：100A 漏源击穿电压：100V RDS（ON）Max：0.24Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 芯片材 阅读全文
posted @ 2022-06-24 09:46
ASEMI首芯
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编辑：ll 90N10-ASEMI高压MOS管90N10 型号：90N10 品牌：ASEMI 封装：TO-220AB 最大漏源电流：90A 漏源击穿电压：100V RDS（ON）Max：0.08Ω 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作 阅读全文
posted @ 2022-06-23 10:13
ASEMI首芯
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编辑：ll 60N10-ASEMI高压MOS管60N10 型号：60N10 品牌：ASEMI 封装：TO-263 最大漏源电流：60A 漏源击穿电压：100V RDS（ON）Max：0.24Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 芯片材质： 封装尺寸 阅读全文
posted @ 2022-06-23 10:06
ASEMI首芯
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编辑：ll 25N120-ASEMI高压MOS管25N120 型号：25N120 品牌：ASEMI 封装：TO-247 最大漏源电流：25A 漏源击穿电压：1200V RDS（ON）Max：0.12Ω 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 阅读全文
posted @ 2022-06-22 10:18
ASEMI首芯
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编辑：ll 24N50-ASEMI高压MOS管24N50 型号：24N50 品牌：ASEMI 封装：TO-247 最大漏源电流：24A 漏源击穿电压：500V RDS（ON）Max：0.24Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 芯片材质： 封装尺寸 阅读全文
posted @ 2022-06-22 10:07
ASEMI首芯
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编辑：ll 20N10-ASEMI中低压MOS管20N10 型号：20N10 品牌：ASEMI 封装：TO-22AB 最大漏源电流：20A 漏源击穿电压：100V RDS（ON）Max：0.12Ω 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作 阅读全文
posted @ 2022-06-21 10:11
ASEMI首芯
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编辑：ll 12N65-ASEMI高压MOS管12N65 型号：12N65 品牌：ASEMI 封装：TO-220AB 最大漏源电流：12A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：0.68Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 芯片材质： 封装 阅读全文
posted @ 2022-06-21 10:00
ASEMI首芯
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编辑：ll 10N60-ASEMI高压MOS管10N60 型号：10N60 品牌：ASEMI 封装：TO-22AB 最大漏源电流：10A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：0.85Ω 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温 阅读全文
posted @ 2022-06-20 11:27
ASEMI首芯
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编辑：ll 9N90-ASEMI高压MOS管9N90 型号：9N90 品牌：ASEMI 封装：TO-220AB 最大漏源电流：9A 漏源击穿电压：900V RDS（ON）Max：1.4Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 阅读全文
posted @ 2022-06-20 11:21
ASEMI首芯
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编辑：ll 7N65-ASEMI高压MOS管7N65 型号：7N65 品牌：ASEMI 封装：TO-22AB 最大漏源电流：7A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：1.35Ω 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-5 阅读全文
posted @ 2022-06-18 11:27
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