摘要: 编辑:ll 90N10-ASEMI高压MOS管90N10 型号:90N10 品牌:ASEMI 封装:TO-220AB 最大漏源电流:90A 漏源击穿电压:100V RDS(ON)Max:0.08Ω 引脚数量:3 芯片个数: 沟道类型:N沟道MOS管 漏电流:ua 特性:N沟道MOS管、场效应管 工作 阅读全文
posted @ 2022-06-23 10:13 ASEMI首芯 阅读(97) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 编辑:ll 60N10-ASEMI高压MOS管60N10 型号:60N10 品牌:ASEMI 封装:TO-263 最大漏源电流:60A 漏源击穿电压:100V RDS(ON)Max:0.24Ω 引脚数量:3 沟道类型:N沟道MOS管 芯片尺寸:MIL 漏电流: 恢复时间:5ns 芯片材质: 封装尺寸 阅读全文
posted @ 2022-06-23 10:06 ASEMI首芯 阅读(368) 评论(0) 推荐(0)