90N10-ASEMI高压MOS管90N10

编辑：ll

90N10-ASEMI高压MOS管90N10

型号：90N10

品牌：ASEMI

封装：TO-220AB

最大漏源电流：90A

漏源击穿电压：100V

RDS（ON）Max：0.08Ω

引脚数量：3

芯片个数：

沟道类型：N沟道MOS管

漏电流：ua

特性：N沟道MOS管、场效应管

工作温度：-55℃~150℃

备受欢迎的90N10 MOS管

  ASEMI品牌90N10是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了90N10的最大漏源电流90A，漏源击穿电压100V.

•细节体现差距

90N10,ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。

90N10具体参数为：最大漏源电流：25A，漏源击穿电压：100V，反向恢复时间： ns，封装：TO-220AB