2022年6月21日
20N10-ASEMI中低压MOS管20N10
摘要： 编辑：ll 20N10-ASEMI中低压MOS管20N10 型号：20N10 品牌：ASEMI 封装：TO-22AB 最大漏源电流：20A 漏源击穿电压：100V RDS（ON）Max：0.12Ω 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作 阅读全文
posted @ 2022-06-21 10:11 ASEMI首芯 阅读(190) 评论(0) 推荐(0)
12N65-ASEMI高压MOS管12N65
摘要： 编辑：ll 12N65-ASEMI高压MOS管12N65 型号：12N65 品牌：ASEMI 封装：TO-220AB 最大漏源电流：12A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：0.68Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 芯片材质： 封装 阅读全文
posted @ 2022-06-21 10:00 ASEMI首芯 阅读(127) 评论(0) 推荐(0)