2022年6月22日
25N120-ASEMI高压MOS管25N120
摘要： 编辑：ll 25N120-ASEMI高压MOS管25N120 型号：25N120 品牌：ASEMI 封装：TO-247 最大漏源电流：25A 漏源击穿电压：1200V RDS（ON）Max：0.12Ω 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 阅读全文
posted @ 2022-06-22 10:18 ASEMI首芯 阅读(272) 评论(0) 推荐(0)
24N50-ASEMI高压MOS管24N50
摘要： 编辑：ll 24N50-ASEMI高压MOS管24N50 型号：24N50 品牌：ASEMI 封装：TO-247 最大漏源电流：24A 漏源击穿电压：500V RDS（ON）Max：0.24Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 芯片材质： 封装尺寸 阅读全文
posted @ 2022-06-22 10:07 ASEMI首芯 阅读(120) 评论(0) 推荐(0)