2022年6月20日
10N60-ASEMI高压MOS管10N60
摘要： 编辑：ll 10N60-ASEMI高压MOS管10N60 型号：10N60 品牌：ASEMI 封装：TO-22AB 最大漏源电流：10A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：0.85Ω 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温 阅读全文
posted @ 2022-06-20 11:27 ASEMI首芯 阅读(457) 评论(0) 推荐(0)
9N90-ASEMI高压MOS管9N90
摘要： 编辑：ll 9N90-ASEMI高压MOS管9N90 型号：9N90 品牌：ASEMI 封装：TO-220AB 最大漏源电流：9A 漏源击穿电压：900V RDS（ON）Max：1.4Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 阅读全文
posted @ 2022-06-20 11:21 ASEMI首芯 阅读(353) 评论(0) 推荐(0)