10N60-ASEMI高压MOS管10N60

编辑：ll

10N60-ASEMI高压MOS管10N60

型号：10N60

品牌：ASEMI

封装：TO-22AB

最大漏源电流：10A

漏源击穿电压：600V

RDS（ON）Max：0.85Ω

引脚数量：3

芯片个数：

沟道类型：N沟道MOS管

漏电流：ua

特性：N沟道MOS管、场效应管

工作温度：-55℃~150℃

备受欢迎的10N60 MOS管

  ASEMI品牌10N60是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了10N60的最大漏源电流10A，漏源击穿电压600V.

•细节体现差距

10N60,ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。

10N60具体参数为：最大漏源电流：10A，漏源击穿电压：600V，反向恢复时间： ns，封装：TO-220AB