12N65-ASEMI高压MOS管12N65

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12N65-ASEMI高压MOS管12N65

型号：12N65

品牌：ASEMI

封装：TO-220AB

最大漏源电流：12A

漏源击穿电压：650V

RDS（ON）Max：0.68Ω

引脚数量：3

沟道类型：N沟道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏电流：

恢复时间：5ns

芯片材质：

封装尺寸：如图

特性：高压MOS管

工作结温：-55℃~150℃

12N65场效应管

12N65的电性参数：最大漏源电流12A；漏源击穿电压650V