宇芯电子

摘要： “国产替代”成为独特的宣传标语。可以发现展会现场以及多家厂商展位上出现“国产替代”、“国产MCU”、“打造国人自己的MCU”等字眼。那目前MCU的国产替代现状如何？ 目前国产MCU正在逐步实现中低端领域的进口替代，相对于以往基本都是国外品牌的现象，如今包括在消费电子、工业控制等应用市场已出现了不少国 阅读全文

摘要： 赛普拉斯瞄准的市场增长速度要快于包括汽车，工业和消费电子市场任内的半导体行业。在安全无线技术，连同MCU，存储器，模拟IC和USB控制器，为物联网领域提供了明显的竞争优势，并在新兴市场（包括联网设备和自动驾驶汽车）上实现了飞跃。cypress代理宇芯电子支持提供驱动、例程以及必要的FAE支持等产品服 阅读全文

摘要： 嵌入式内存测试和修复的挑战是众所周知的，包括最大程度地扩大故障覆盖范围以防止测试失败以及使用备用元件来最大程度地提高制造良率。随着有前途的非易失性存储器架构的可用性不断增加，以增加并潜在地替代传统的易失性存储器，新的SoC级存储器测试和修复挑战不断涌现。通过将自旋转移扭矩MRAM（STT-MRAM） 阅读全文

摘要： 一种称为Universal Selector的新创新技术，它将显着提高现有和新兴存储技术（包括MRAM，DRAM和ReRAM）的功能，因为它将提供一种新颖的方式设计垂直单元晶体管，以实现更高水平的性能和可靠性和密度。 自旋存储器的通用选择器是一种选择性的垂直外延单元晶体管，其沟道的掺杂浓度足够低，可 阅读全文

摘要： FRAM器件消耗的工作电流大约是EEPROM的1/3，而FRAM的待机/睡眠电流规格与EEPROM的待机/睡眠电流规格差不多。有功电流中的差异对功耗产生巨大影响，特别是当应用程（如:智能电子式电表）频繁的记录数据而使写密集时。除了EEPROM中有功电流不足，EEPROM 还产生额外页编写延迟，这样导 阅读全文

摘要： 尽管具有规模经济性，但其他类型的存储器仍具有AI应用程序的未来可能性。 MRAM通过受外加电压控制的磁体的方向存储数据的每一位。如果电压低于翻转位所需的电压，则只有位翻转的可能性。这种随机性是不希望有的，因此可以用更高的电压驱动MRAM来防止这种情况。某些AI应用程序仍可以利用这种固有的随机性（可以 阅读全文

摘要： FRAM架构采用铁电材料作为存储器件，这些材料具有一个固有的电偶极子，该偶极子在外部电场的作用下转换为相反的极性。 FRAM中的读取操作具有破坏性，因为它需要切换极化状态才能感知其状态。在初次读取后，读取操作必须将极化恢复到其原始状态，这会增加读取操作的周期时间。写周期需要一个初始的“预充电”时间， 阅读全文

摘要： 写入FRAM的零时钟周期延迟 一个典型的EEPROM需要5毫秒的写周期时间，以将其页面数据转移到非易失性EEPROM内。当需要写入几千字节的数据时，会导致写入时间较长。相比之下的FRAM不会使这种写操作变慢;所有写操作按总线速率 进行，并非基于存储器延迟。下面两个实例和图1说明写延迟的影响。 实例1 阅读全文

摘要： 从纯技术角度考虑两个最广泛使用的DRAM选项-同步DRAM（SDRAM）和减少延迟的DRAM（RLDRAM）。SDRAM tRC在过去10年中没有实质性的发展，约为48ns，这与21MT/s的RTR相关。其他基于DRAM芯片的存储设备已被设计为以密度为代价提高tRC。例如RLD RAM3的RC为8n 阅读全文

摘要： 电池管理系统(BMS）是一个电子控制系统，它监控并控制着电动和混合动力汽车的电池系统。该单元的主要功能是保护每块电池免受损坏，延长它们的使用寿命，并为车辆提供实时电源分配。 BMS单独监控每块电池的操作参数。这些参数包括电池电压、电池电流（充电和损耗）以及电池温度。现代的锂离子电池具有较高的充电容量 阅读全文