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摘要： SRAM不存在刷新的问题。一个SRAM基本存储单元融个晶体管和两个电阻器构成,它并不利用电容器来存储数据，而是通过切换晶体管的状态来实现的，如同CPU中的晶体管通过切换不同的状态也能够分别代表0和这两个状态正是因为这种结构,所以SRAM的读取过程并不会造成SRAM内存储的的信息的丢失，当然也就不存在 阅读全文

摘要： 5V来自于TTL电平，5为True，0即为False，之后用了压降更低的PN节，衍生出3.3这个电平。 12V和24V来自于汽车电瓶，早年乘用车又12V和24V两个系统，现在一般小型车12V，商用车24V，再究其由来应该是铅酸电池。 所以3v和5v一般出现在信号电路或者单片机等vcc供电，而12v/ 阅读全文

摘要： 首先需求方面来说，疫情导致在线教育与办公需求增长，导致对应的驱动IC、电源管理IC及功率元件需求增长，而一季度之后，疫情得到有效遏制，消费电子和汽车及家电的需求回暖，功率MOS、PMIC、传感器IC等产品需求接力，维持产能满载。 以上这些原因，再加上芯片厂商提高了安全库存，共同推动了晶圆产能处于满载 阅读全文

摘要： 非易失性存储器主要是用来存放固定数据、固件程序等一般不需要经常改动的数据。目前主流非易失性存储器主要有EEPROM、MRAM、FLASH、FRAM。 EEPROM的存储原理EEPROM即电可擦可编程只读存储器。EEPROM可以在线擦除和重新编程，一般用在即插即用。EEPROM的擦除不需要借助于其它设 阅读全文

摘要： NAND FLASH是一种大众化的非易失性存储器，主要是因为小型和低功耗且坚固耐用。尽管此技术适合现代存储，但在将其列入较大系统的一部分时，需要考虑许多重要特性。这些特性适用于所有类型的存储，包括耐用性，密度和性能，每千兆字节价格，错误概率和数据保留。 在设计使用NAND FLASH的系统时，选择适 阅读全文

摘要： DRAM是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制bit是1还是0。与SRAM相比的DRAM的优势在于结构简单,每一个bit的数据都只需一个电容跟一个晶体管来处理，相比之下在SRAM存储芯片上一个bit通常需要六个晶体管。因此DRAM拥有非常高的密度，单位体积的容量 阅读全文

摘要： Flash(快闪或闪存)由Intel公司于1988年首先推出的是一种可用电快速擦除和编程的非易失性存储器，其快速是相对于EEPROM而言的。Flash从芯片工艺上分为Nor Flash和Nand Flash两大类。 Nor FlashNor Flash的特点是芯片内执行(XIP )，应用程序可以直接 阅读全文

摘要： 存储器概况存储器是计算机系统中的记忆设备，主要是用来存放程序和数据。存储器按存储特性可分为非易失和易失两大类。目前常见的多为半导体存储器。 非易失性存储器非易失存储器是指在系统停止供电的时候仍然可以保持数据。常见的设备如电脑硬盘、TF卡、SD卡、U盘等。 易失性存储器易失存储器是指在系统停止供电的时 阅读全文

摘要： 最初的MRAM都是用微电磁线圈产生电磁场，使自由层的磁矩方向反转来进行0、1数据的读写。这种复杂的结构大大地制约了MRAM存贮单元的微型化进程，因此当时MRAM的存贮密度远远不及DRAM和SRAM。 后来科学家们想出了用自旋极化的电子流脉冲取代微电磁线圈的突破方案。穿过微磁粒的自旋极化电子流脉冲具有 阅读全文

摘要： 为了降低DSP外部SDRAM存储系统的功耗,针对DSP访问片外SDRAM的功耗来源特点,提出了基于总线利用率动态监测的读写归并方案。该方案动态监测外部存储器接口(EMIF')总线的利用率,根据总线利用率的不同选择开放的页策略,封闭的页策略或休眠模式。 DSP有限的片内存储器容量往往使得设计人员感到捉 阅读全文