摘要: 从纯技术角度考虑两个最广泛使用的DRAM选项-同步DRAM(SDRAM)和减少延迟的DRAM(RLDRAM)。SDRAM tRC在过去10年中没有实质性的发展,约为48ns,这与21MT/s的RTR相关。其他基于DRAM芯片的存储设备已被设计为以密度为代价提高tRC。例如RLD RAM3的RC为8n 阅读全文
posted @ 2020-09-27 16:34 宇芯电子 阅读(448) 评论(0) 推荐(0)