摘要：
FRAM器件消耗的工作电流大约是EEPROM的1/3，而FRAM的待机/睡眠电流规格与EEPROM的待机/睡眠电流规格差不多。有功电流中的差异对功耗产生巨大影响，特别是当应用程（如:智能电子式电表）频繁的记录数据而使写密集时。除了EEPROM中有功电流不足，EEPROM 还产生额外页编写延迟，这样导 阅读全文
posted @ 2020-10-09 13:40
宇芯电子
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摘要：
尽管具有规模经济性，但其他类型的存储器仍具有AI应用程序的未来可能性。 MRAM通过受外加电压控制的磁体的方向存储数据的每一位。如果电压低于翻转位所需的电压，则只有位翻转的可能性。这种随机性是不希望有的，因此可以用更高的电压驱动MRAM来防止这种情况。某些AI应用程序仍可以利用这种固有的随机性（可以 阅读全文
posted @ 2020-10-09 13:38
宇芯电子
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