2020年9月29日
Everspin MRAM替换FRAM
摘要： FRAM架构采用铁电材料作为存储器件，这些材料具有一个固有的电偶极子，该偶极子在外部电场的作用下转换为相反的极性。 FRAM中的读取操作具有破坏性，因为它需要切换极化状态才能感知其状态。在初次读取后，读取操作必须将极化恢复到其原始状态，这会增加读取操作的周期时间。写周期需要一个初始的“预充电”时间， 阅读全文
posted @ 2020-09-29 16:24 宇芯电子 阅读(189) 评论(0) 推荐(0)