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摘要： SRAM即静态随机存取存储器，所谓“静态”是指这种存储器只要保持通电，里面存储的数据就可以一直保持，但是掉电之后就会丢失。与DRAM（动态随机存取存储器）相比它不需要周期性的刷新里面的数据，操作简单且速度更快，但是更加的昂贵，集成度不如DRAM高。 在实际应用中的存储器所需要的容量通常比所生产的芯片 阅读全文

摘要： 在现代的通信及基于FPGA的图像数据处理系统中,经常要用到大容量和高速度的存储器。SDRAM有一个同步接口，在响应控制输入前会等待一个时钟信号，这样就能和计算机的系统总线同步。在各种的随机存储器件中，SDRAM的价格低,体积小和速度快,容量大等优点而获得大家的青睐。 SDRAM功耗来源 SDRAM内 阅读全文

摘要： 采用FRAM的MCU为何就能具有诸多优势呢?举例说明:TI做了一个实验，如果要写13Kbps的数据到DRAM里需要花1秒时间，大约要用2200uA的功耗去做写的功能，但如果用FRAM来做只要10ms、9uA就可以把数据写完。通过比较可以看到，如果要写很多数据到Flash等传统存储器里，FRAM速度会 阅读全文

摘要： Nand Flash是一种非易失性存储器,具有读写速度快.功耗低.存储密度高等优点,目前被广泛应用于电子产品中,如固态硬盘( SSD)、手机、数码相机等。进入21世纪以来,随着CPU主频以及IO频率的不断提高,传统硬盘由于读写速度慢等原因已经成为PC、服务器存储等领域发展的瓶颈。由于基于Nand F 阅读全文

摘要： 随着诸如医疗电子和无线传感节点等应用的兴起,低功耗芯片受到了越来越广泛的关注.这类芯片对性能和功耗要求苛刻.静态随机存储器(SRAM)作为芯片的重要组成部分,大程度上影响着芯片的面积和功耗,因此其功耗的优化成了芯片功耗优化的关键所在。 SRAM单元的数据保持功能是通过背靠背的反相器实现的,因此为了使 阅读全文

摘要： MRAM是磁阻式随机存取存储器(Magneto-resistiveRandom Access Memory )的缩写。MRAM是一种非挥发性电脑存储器( NVRAM )技术，从20世纪90年代以来开始开发就已经取得惊人的进展。MRAM存储器最终将成为占主导地位的并取代其它所有类型的存储器，并成为一个 阅读全文

摘要： 自旋传递扭矩RAM（STT-MRAM）它结合了非易失性，出色的可扩展性和耐用性以及较低的功耗和快速的读写功能。 自旋传递转矩（STT）写入是一种通过对齐流过磁性隧道结（MTJ）元件的电子的自旋方向来极化电流的技术。通过使用自旋极化电流来改变磁取向来执行数据写入MTJelement中信息存储层的位置。 阅读全文

摘要： 关于新型的芯片架构,将嵌入式磁存储芯片STT-MRAM应用于芯片架构设计中,与传统芯片架构相比较,能够降低芯片漏电流,减少芯片静态功耗，延长手持设备的在线工作时长,降低整体使用成本。 本方案的技术特征在于:(1) 用兼容SRAM的嵌入式STT-MRAM IP取代传统的SRAM单元。SRAM-like 阅读全文

摘要： MCU功耗在目前的电池供电应用中正变得越来越举足轻重。大多MCU微控制器芯片厂商都提供低功耗产品，但是选择一款最适合自己应用的产品并非易事，并不像查询对比数据表的数据那么简单。 在选择低功率MCU时需要考虑外设功耗与电源管理。某些低功率MCU微控制器仅仅是设计时不具备低利率功能的旧架构的改进版本。而 阅读全文

摘要： Flash存储器是一种基于浮栅技术的非挥发性半导体存储器，一般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等几种类型。作为一类非易失性存储器 ,Flash存储器具有自己独特的优点:不需要特殊的外部高电压即可进行电可擦除和重复编程,成本低及密度大,因而广泛用于嵌入式系统中。与RAM 不同的是,Flash 阅读全文