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2020年9月25日
针对汽车市场的FRAM
摘要: 这些年来,汽车产品对电子产品的依赖性日益增强。从前的机械系统转移到电子控制单元(ECU)。针对汽车产品安全和用户娱乐目的的新系统所面对的问题是高度复杂性和大量资源的要求。 汽车电子子系统概述汽车电子子系统被划分为即独立又互相连接的子系统。每个子系统负责处理一项特定的任务,其范围和复杂程度可能不同,但
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posted @ 2020-09-25 14:05 宇芯电子
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2020年9月23日
高速性低功耗SRAM应用于物联网
摘要: 在过去的几十年中,SRAM领域已划分为两个不同的产品系列-快速和低功耗,每个产品都有自己的功能,应用程序和价格。使用SRAM的设备需要它的高速性或低功耗性,但不能同时兼顾两者。但是人们越来越需要具有低功耗的高性能设备,以便在依靠便携式电源运行时执行复杂的操作。这种需求由新一代医疗设备和手持设备,消费
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posted @ 2020-09-23 14:44 宇芯电子
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2020年9月21日
非易失性存储器MRAM技术介绍
摘要: MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。所谓“非易失性”是指掉电后﹐仍可以保持存储内容完整,此功能与Flash闪存相同;而“随机存取”是指处理器读取资料时,不定要从头开始,随时都可用相同的速率,从内存的任何位置读写信息。MRAM芯片中的存储单元采用磁隧道结(MTJ)结构来进行数据存储。MTJ由固定磁
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posted @ 2020-09-21 14:06 宇芯电子
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2020年9月18日
使用高速SPI Nor Flash的FPGA配置
摘要: NOR闪存广泛用作FPGA的配置设备。FPGA在工业和通信及汽车ADAS应用中的使用取决于NOR Flash的低延迟和高数据吞吐量特性。快速启动时间要求的一个很好的例子是汽车环境中的摄像头系统。点火时后视图像在仪表板上显示的速度是一阶设计挑战。 上电后的FPGA会立即加载已存储在NOR器件中的配置位
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posted @ 2020-09-18 15:55 宇芯电子
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2020年9月17日
基于SRAM的方法可加速AI推理
摘要: 一种新颖的深度学习加速器。专用单元定义了一个SRAM,该单元可以处理矩阵乘法,量化,存储以及推理处理器所需的其他工作。 在Spice仿真中,当使用8位整数数学识别手写数字时,该设计可提供100兆次操作/秒/瓦(TOPS / W)。它的计算密度可以击败Google的TPU一个数量级。 该设计是使用内存
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posted @ 2020-09-17 13:57 宇芯电子
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2020年9月16日
SRAM中晶圆级芯片级封装的需求
摘要: 在谈到可穿戴技术的未来时,清楚地表明了可穿戴技术创新的未来进程。响亮而明确的是,要想成功,可穿戴电子产品必须小而又要保持性能。 为了减少占用空间,从而减少整个电路板空间,微控制器每隔一代就都迁移到较小的过程节点。同时他们正在进化以执行更复杂,更强大的操作。随着操作变得更加复杂,迫切需要增加高速缓存。
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posted @ 2020-09-16 16:03 宇芯电子
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2020年9月15日
非易失性MRAM关键特性-MR2A16A
摘要: 经过超过八年的MRAM研发,Everspin MR2A16A是第一款4Mbit MRAM商业设备。该器件采用256K x 16位配置(图1),并具有异步设计,带有标准的芯片,写入和输出使能引脚。 这种设计具有系统灵活性并防止了总线争用。单独的字节使能引脚还提供了灵活的数据总线控制,其中数据可以以8位
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posted @ 2020-09-15 13:47 宇芯电子
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2020年9月11日
非易失性存储器平衡方法
摘要: 非易失性存储器在高级节点上变得越来越复杂,在高级节点上的价格和速度,功率和利用率正在成为一些非常特定于应用程序的折衷,以决定该存储器的放置位置。 NVM可以嵌入到芯片中,也可以使用各种类型的互连技术将其移出芯片。但是这个决定比它最初看起来要复杂得多。它取决于过程节点和电压,NVM的类型以及其中存储的
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posted @ 2020-09-11 15:18 宇芯电子
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2020年9月9日
非易失性NV-SRAM简介
摘要: 尽管闪存和其他非易失性存储技术已广泛用于实现嵌入式文件系统,但对于某些嵌入式应用程序来说可能太复杂了。在许多情况下的内存可以最有效地用作已预先初始化的数据结构。这种方法需要对数据完整性进行某种管理。本文存储芯片供应商宇芯电子先带大家认识一下非易失性NV-SRAM。 NV-SRAM简介在现代计算机系统
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posted @ 2020-09-09 16:23 宇芯电子
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2020年9月8日
EEPROM与内存Flash消耗能量计算
摘要: 本篇文章要介绍的是非易失性存储器EEPROM与内存Flash消耗能量计算。 首先,我们来看看非易失性存储器在典型的3.3V EEPROM写入过程中所消耗的能量待机电流为1μA,写入时间为5 ms,写入电流为3 mA(表1)。我们假设:一旦VDD上升到工作限制内(上电时间),EEPROM就准备开始工作
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posted @ 2020-09-08 14:01 宇芯电子
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