SI2301-ASEMI中低压P沟道MOS管SI2301

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SI2301-ASEMI中低压P沟道MOS管SI2301

型号：SI2301

品牌：ASEMI

封装：SOT-23

最大漏源电流：-2.2A

漏源击穿电压：-20V

RDS（ON）Max：0.13Ω

引脚数量：3

沟道类型：P沟道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏电流：

恢复时间：5ns

芯片材质：

封装尺寸：如图

特性：中低压MOS管、P沟道MOS管

工作结温：-55℃~150℃

SI2301场效应管

SI2301的电性参数：最大漏源电流-2.2A；漏源击穿电压-20V

特征：

低固有电容。

出色的开关特性。

扩展安全操作区域。

无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典型值）。

BVDSS=500V，Id=40A

RDS（开）:0.13mΩ （最大值）@VG=10V