摘要: 编辑:ll AO3415-ASEMI低压P沟道MOS管AO3415 型号:AO3415 品牌:ASEMI 封装:SOT-23 最大漏源电流:-5A 漏源击穿电压:-20V RDS(ON)Max:0.055Ω 引脚数量:3 芯片个数: 沟道类型:P沟道MOS管、低压MOS管 漏电流:ua 特性:P沟道 阅读全文
posted @ 2023-03-07 10:47 ASEMI首芯 阅读(205) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 编辑:ll 4N60-ASEMI高压N沟道MOS管4N60 型号:4N60 品牌:ASEMI 封装:TO-220F 最大漏源电流:4A 漏源击穿电压:600V RDS(ON)Max:2.5Ω 引脚数量:3 沟道类型:N沟道MOS管 芯片尺寸:MIL 漏电流: 恢复时间:5ns 芯片材质: 封装尺寸: 阅读全文
posted @ 2023-03-07 09:53 ASEMI首芯 阅读(333) 评论(0) 推荐(0)