ASEMI首芯

2022年11月5日

摘要：编辑：ll ASEMI代理IXFK32N100P、IXYS/艾赛斯车规级MOS管型号：IXFK32N100P 品牌：IXYS/艾赛斯封装：TO-264 最大漏源电流：32A 漏源击穿电压：1000V RDS（ON）Max：320mΩ 引脚数量：3 特性：车规级MOS管芯片个数：沟道类型：N沟阅读全文

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ASEMI代理DSP25-12A、IXYS/艾赛斯整流二极管

摘要：编辑：ll ASEMI代理DSP25-12A、IXYS/艾赛斯整流二极管型号：DSP25-12A 品牌：IXYS/艾赛斯封装：TO-247 正向电流：25A 反向电压：1200V 引线数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：110MIL 漏电流：20ua 恢复时间：35ns 浪涌电流：175A 芯片材阅读全文

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2022年11月4日

ASEMI代理IXTY02N50D-TRL艾赛斯车规级MOS管

摘要：编辑：ll ASEMI代理IXTY02N50D-TRL艾赛斯车规级MOS管型号：IXTY02N50D-TRL 品牌：ASEMI 封装：TO-252 最大漏源电流：200mA 漏源击穿电压：500V RDS（ON）Max：0.099Ω 引脚数量：3 特性：车规级MOS管芯片个数：沟道类型：N沟道阅读全文

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ASEMI代理LSIC1MO120E0080力特车规级MOS管

摘要：编辑：ll ASEMI代理LSIC1MO120E0080力特车规级MOS管型号：LSIC1MO120E0080 品牌：LITTELFUSE/力特封装：TO-247 最大漏源电流：25A 漏源击穿电压：1200V RDS（ON）Max：0.135Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸阅读全文

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2022年11月3日

ASEMI代理LSIC2SD120A05-力特Sic肖特基二极管

摘要：编辑：ll ASEMI代理LSIC2SD120A05-力特Sic肖特基二极管型号：LSIC2SD120A05 品牌：LITTELFUSE/力特封装：TO-220-2L 特性：Sic肖特基二极管正向电流：5A 反向耐压：1200V 恢复时间：35ns 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：95M 阅读全文

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UD6KB100-ASEMI新能源专用整流桥UD6KB100

摘要：编辑：ll UD6KB100-ASEMI新能源专用整流桥UD6KB100 型号：UD6KB100 品牌：ASEMI 封装：D3K 正向电流：6A 反向电压：1000V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：88MIL 漏电流：>10ua 恢复时间：>2000ns 浪涌电流：175A 芯片材质：GPP 阅读全文

posted @ 2022-11-03 10:55 ASEMI首芯阅读(73) 评论(0) 推荐(0)

2022年11月2日

UD4KB100-ASEMI新能源专用整流桥UD4KB100

摘要：编辑：ll UD4KB100-ASEMI新能源专用整流桥UD4KB100 型号：UD4KB100 品牌：ASEMI 封装：D3K 正向电流：4A 反向电压：1000V 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：72MIL 漏电流：>10ua 恢复时间：>2000ns 浪涌电流：150A 芯片材质：GPP 阅读全文

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D3KB100-ASEMI插件超薄整流桥D3KB100

摘要：编辑：ll D3KB100-ASEMI插件超薄整流桥D3KB100 型号：D3KB100 品牌：ASEMI 封装：D3K 特性：整流桥正向电流：3A 反向耐压：1000V 恢复时间：>2000ns 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：60MIL 浪涌电流：80A 漏电流：>10ua 工作温度：- 阅读全文

posted @ 2022-11-02 10:48 ASEMI首芯阅读(35) 评论(0) 推荐(0)

2022年10月26日

IPW65R150CFDA英飞凌车规MOS管\原装现货\ASEMI代理

摘要：编辑：ll IPW65R150CFDA英飞凌车规MOS管\原装现货\ASEMI代理型号：IPW65R150CFDA 品牌：ASEMI 封装：TO-247 最大漏源电流：72A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：0.135Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL 漏电阅读全文

posted @ 2022-10-26 09:40 ASEMI首芯阅读(65) 评论(0) 推荐(0)

2022年10月25日

IPW65R110CFDA英飞凌车规MOS管\原装现货ASEMI代理

摘要：编辑：ll IPW65R110CFDA英飞凌车规MOS管\原装现货ASEMI代理型号：IPW65R110CFDA 品牌：ASEMI 封装：TO-247 最大漏源电流：99.6A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：0.099Ω 引脚数量：3 特性：车规级MOS管芯片个数：沟道类型：N 阅读全文

posted @ 2022-10-25 16:49 ASEMI首芯阅读(184) 评论(0) 推荐(0)

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