ASEMI首芯

2023年3月10日

摘要：编辑：ll 7N65-ASEMI高压N沟道MOS管7N65 型号：7N65 品牌：ASEMI 封装：TO-220 最大漏源电流：7A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：1.35Ω 引脚数量：3 芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应阅读全文

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4N65-ASEMI高压N沟道MOS管4N65

摘要：编辑：ll 4N65-ASEMI高压N沟道MOS管4N65 型号：4N65 品牌：ASEMI 封装：TO-220 最大漏源电流：4A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：2.5Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL 漏电流：恢复时间：5ns 芯片材质：封装尺寸：如阅读全文

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2023年3月9日

16N60-ASEMI高压N沟道MOS管16N60

摘要：编辑：ll 16N60-ASEMI高压N沟道MOS管16N60 型号：16N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220 最大漏源电流：16A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：0.17Ω 引脚数量：3 芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管漏电流：ua 特性：N沟道MOS管阅读全文

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12N60-ASEMI高压N沟道MOS管12N60

摘要：编辑：ll 12N60-ASEMI高压N沟道MOS管12N60 型号：12N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220 最大漏源电流：12A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：0.68Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL 漏电流：恢复时间：5ns 芯片材质：封阅读全文

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2023年3月8日

10N60-ASEMI高压N沟道MOS管10N60

摘要：编辑：ll 10N60-ASEMI高压N沟道MOS管10N60 型号：10N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220 最大漏源电流：10A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：0.85Ω 引脚数量：3 芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管漏电流：ua 特性：N沟道MOS管阅读全文

posted @ 2023-03-08 10:36 ASEMI首芯阅读(357) 评论(0) 推荐(0)

7N60-ASEMI高压N沟道MOS管7N60

摘要：编辑：ll 7N60-ASEMI高压N沟道MOS管7N60 型号：7N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220 最大漏源电流：7A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：1.2Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL 漏电流：恢复时间：5ns 芯片材质：封装尺寸：如阅读全文

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2023年3月7日

AO3415-ASEMI低压P沟道MOS管AO3415

摘要：编辑：ll AO3415-ASEMI低压P沟道MOS管AO3415 型号：AO3415 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 最大漏源电流：-5A 漏源击穿电压：-20V RDS（ON）Max：0.055Ω 引脚数量：3 芯片个数：沟道类型：P沟道MOS管、低压MOS管漏电流：ua 特性：P沟道阅读全文

posted @ 2023-03-07 10:47 ASEMI首芯阅读(243) 评论(0) 推荐(0)

4N60-ASEMI高压N沟道MOS管4N60

摘要：编辑：ll 4N60-ASEMI高压N沟道MOS管4N60 型号：4N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 最大漏源电流：4A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：2.5Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL 漏电流：恢复时间：5ns 芯片材质：封装尺寸：阅读全文

posted @ 2023-03-07 09:53 ASEMI首芯阅读(409) 评论(0) 推荐(0)

2023年3月6日

AO3401-ASEMI低压P沟道MOS管AO3401

摘要：编辑：ll AO3401-ASEMI低压P沟道MOS管AO3401 型号：AO3401 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 最大漏源电流：-4.2A 漏源击穿电压：-30V RDS（ON）Max：0.05Ω 引脚数量：3 芯片个数：沟道类型：P沟道MOS管、低压MOS管漏电流：ua 特性：P沟阅读全文

posted @ 2023-03-06 11:25 ASEMI首芯阅读(372) 评论(0) 推荐(0)

AO3400-ASEMI中低压N沟道MOS管AO3400

摘要：编辑：ll AO3400-ASEMI中低压N沟道MOS管AO3400 型号：AO3400 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 最大漏源电流：5.8A 漏源击穿电压：30V RDS（ON）Max：0.033Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL 漏电流：恢复时间：5ns 芯片阅读全文

posted @ 2023-03-06 11:06 ASEMI首芯阅读(376) 评论(0) 推荐(0)

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