ASEMI首芯

2023年3月4日

摘要：编辑：ll SI2302-ASEMI低压N沟道MOS管SI2302 型号：AO3401 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 最大漏源电流：2.9A 漏源击穿电压：20V RDS（ON）Max：0.045Ω 引脚数量：3 芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管漏电流：ua 特性：N沟道阅读全文

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SI2301-ASEMI中低压P沟道MOS管SI2301

摘要：编辑：ll SI2301-ASEMI中低压P沟道MOS管SI2301 型号：SI2301 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 最大漏源电流：-2.2A 漏源击穿电压：-20V RDS（ON）Max：0.13Ω 引脚数量：3 沟道类型：P沟道MOS管芯片尺寸：MIL 漏电流：恢复时间：5ns 芯阅读全文

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2023年2月23日

AO3401-ASEMI低压P沟道MOS管AO3401

摘要：编辑：ll AO3401-ASEMI低压P沟道MOS管AO3401 型号：AO3401 品牌：ASEMI 封装：SOT-23 最大漏源电流：-4.2A 漏源击穿电压：-30V RDS（ON）Max：0.05Ω 引脚数量：3 芯片个数：沟道类型：P沟道MOS管、低压MOS管漏电流：ua 特性：N沟阅读全文

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ASE40N50SH-ASEMI高压N沟道MOS管ASE40N50SH

摘要：编辑：ll ASE40N50SH-ASEMI高压N沟道MOS管ASE40N50SH 型号：ASE40N50SH 品牌：ASEMI 封装：TO-2247 最大漏源电流：40A 漏源击穿电压：500V RDS（ON）Max：0.1Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL 漏电流：恢阅读全文

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2023年2月22日

ASE0510SH-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE0510SH

摘要：编辑：ll ASE0510SH-ASEMI中低压N沟道MOS管ASE0510SH 型号：ASE0510SH 品牌：ASEMI 封装：SOT-89 最大漏源电流：5A 漏源击穿电压：100V RDS（ON）Max：0.14Ω 引脚数量：3 芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管漏电流：阅读全文

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ASE65R330-ASEMI高压N沟道MOS管ASE65R330

摘要：编辑：ll ASE65R330-ASEMI高压N沟道MOS管ASE65R330 型号：ASE65R330 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 最大漏源电流：12.5A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：0.33mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL 漏电流：阅读全文

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2023年2月21日

ASE140N04-ASEMI低压N沟道MOS管ASE140N04

摘要：编辑：ll ASE140N04-ASEMI低压N沟道MOS管ASE140N04 型号：ASE140N04 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 最大漏源电流：140A 漏源击穿电压：40V RDS（ON）Max：0.04Ω 引脚数量：3 芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管漏电流：阅读全文

posted @ 2023-02-21 13:13 ASEMI首芯阅读(107) 评论(0) 推荐(0)

ASE50N06-ASEMI低压N沟道MOS管ASE50N06

摘要：编辑：ll ASE50N06-ASEMI低压N沟道MOS管ASE50N06 型号：ASE50N06 品牌：ASEMI 封装：TO-252 最大漏源电流：50A 漏源击穿电压：60V RDS（ON）Max：5.8mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL 漏电流：恢复时间：5ns 阅读全文

posted @ 2023-02-21 11:27 ASEMI首芯阅读(90) 评论(0) 推荐(0)

2023年2月20日

ASE20N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管ASE20N65SE

摘要：编辑：ll ASE20N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管ASE20N65SE 型号：ASE20N65SE 品牌：ASEMI 封装：TO-247 最大漏源电流：20A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：0.42Ω 引脚数量：3 芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管漏电阅读全文

posted @ 2023-02-20 11:35 ASEMI首芯阅读(62) 评论(0) 推荐(0)

ASE50N03-ASEMI低压N沟道MOS管ASE50N03

摘要：编辑：ll ASE50N03-ASEMI低压N沟道MOS管ASE50N03 型号：ASE50N03 品牌：ASEMI 封装：TO-252 最大漏源电流：50A 漏源击穿电压：30V RDS（ON）Max：5.8mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL 漏电流：恢复时间：5ns 阅读全文

posted @ 2023-02-20 11:18 ASEMI首芯阅读(115) 评论(0) 推荐(0)

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