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编辑：ll 24N50-ASEMI高压MOS管24N50 型号：24N50 品牌：ASEMI 封装：TO-247 最大漏源电流：24A 漏源击穿电压：500V RDS（ON）Max：0.24Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 芯片材质： 封装尺寸 阅读全文
posted @ 2022-06-22 10:07
ASEMI首芯
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编辑：ll 20N10-ASEMI中低压MOS管20N10 型号：20N10 品牌：ASEMI 封装：TO-22AB 最大漏源电流：20A 漏源击穿电压：100V RDS（ON）Max：0.12Ω 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作 阅读全文
posted @ 2022-06-21 10:11
ASEMI首芯
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编辑：ll 12N65-ASEMI高压MOS管12N65 型号：12N65 品牌：ASEMI 封装：TO-220AB 最大漏源电流：12A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：0.68Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 芯片材质： 封装 阅读全文
posted @ 2022-06-21 10:00
ASEMI首芯
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编辑：ll 10N60-ASEMI高压MOS管10N60 型号：10N60 品牌：ASEMI 封装：TO-22AB 最大漏源电流：10A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：0.85Ω 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温 阅读全文
posted @ 2022-06-20 11:27
ASEMI首芯
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编辑：ll 9N90-ASEMI高压MOS管9N90 型号：9N90 品牌：ASEMI 封装：TO-220AB 最大漏源电流：9A 漏源击穿电压：900V RDS（ON）Max：1.4Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 阅读全文
posted @ 2022-06-20 11:21
ASEMI首芯
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编辑：ll 7N65-ASEMI高压MOS管7N65 型号：7N65 品牌：ASEMI 封装：TO-22AB 最大漏源电流：7A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：1.35Ω 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作温度：-5 阅读全文
posted @ 2022-06-18 11:27
ASEMI首芯
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编辑：ll 7N60-ASEMI高压MOS管7N60 型号：7N60 品牌：ASEMI 封装：TO-220AB 最大漏源电流：7A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：1.2Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 阅读全文
posted @ 2022-06-18 11:17
ASEMI首芯
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编辑：ll MBR30300FCT-ASEMI高压大电流肖特基二极管 型号：MBR30300FCT 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 电流：30A 电压：300V 恢复时间：5ns 正向电压：0.54V~0.92V 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：122MIL 漏电流：5ua 特性：肖特 阅读全文
posted @ 2022-05-13 16:55
ASEMI首芯
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编辑：ll MBR30300CT-ASEMI二极管、30A肖特基二极管 型号：MBR20300CT 品牌：ASEMI 封装：TO-220AB 正向电流：30A 反向耐压：300V 浪涌电流：200A 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：122MIL 漏电流：5uA 恢复时间：5ns 芯片材质： 封 阅读全文
posted @ 2022-05-13 16:27
ASEMI首芯
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编辑：ll MBR20300FCT-ASEMI高压大电流肖特基二极管 型号：MBR20300FCT 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 电流：20A 电压：300V 恢复时间：5ns 正向电压：0.54V~0.92V 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：122MIL 漏电流：5ua 特性：肖特 阅读全文
posted @ 2022-05-12 10:57
ASEMI首芯
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