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编辑：ll MB10M-ASEMI插件小方桥MB10M 型号：MB10M 品牌：ASEMI 封装：MBM-4 特性：小方桥、插件桥堆 正向电流：1A 反向耐压：1000V 恢复时间：500ns 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：50MIL 浪涌电流：30A 漏电流：5ua 工作温度：-55℃~1 阅读全文
posted @ 2022-07-04 10:32
ASEMI首芯
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编辑：ll ES1J-ASEMI超快恢复二极管ES1J 品牌：ASEMI 封装：SMA 正向电流：1A 反向电压：1000V 引脚数量：2 芯片个数：1 芯片尺寸：50MIL 漏电流：100A 恢复时间：150ns 芯片材质：硅 封装尺寸：如图 特性：快恢复二极管 工作结温：-55℃~150℃ ES 阅读全文
posted @ 2022-06-29 15:48
ASEMI首芯
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编辑：ll FR107-ASEMI超快恢复二极管FR107 型号：FR107 品牌：ASEMI 封装：DO-41 正向电流：1A 反向耐压：1000V 恢复时间：150ns 引脚数量：2 芯片个数：1 浪涌电流：30A 特性：快恢复二极管 漏电流：5ua 工作温度：-55℃~150℃ 备受欢迎的FR 阅读全文
posted @ 2022-06-29 15:41
ASEMI首芯
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编辑：ll SF1604-MHCHXM快恢复二极管SF1604 品牌：ASEMI 封装：TO-220AB 正向电流：16A 反向电压：400V 引脚数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：90MIL 漏电流：100A 恢复时间：35ns 芯片材质：硅 封装尺寸：如图 特性：快恢复二极管 工作结温：-55℃ 阅读全文
posted @ 2022-06-28 16:21
ASEMI首芯
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编辑：ll SF1602-MHCHXM（海矽美）快恢复二极管SF1602 型号：SF1602 品牌：MHCHXM（海矽美） 封装：TO-220AB 正向电流：16A 反向耐压：200V 恢复时间：35ns 引脚数量：3 芯片个数：2 特性：快恢复二极管 漏电流：10ua 工作温度：-55℃~150℃ 阅读全文
posted @ 2022-06-28 15:20
ASEMI首芯
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编辑：ll SF1004-MHCHXM（海矽美）快恢复二极管SF1004 型号：SF1004 品牌：MHCHXM（海矽美） 封装：TO-220AB 正向电流：10A 反向耐压：400V 恢复时间：35ns 引脚数量：3 芯片个数： 特性：快恢复二极管 漏电流：10ua 工作温度：-55℃~150℃ 阅读全文
posted @ 2022-06-24 10:56
ASEMI首芯
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编辑：ll 100N10-ASEMI中低压MOS管100N10 型号：100N10 品牌：ASEMI 封装：TO-220AB 最大漏源电流：100A 漏源击穿电压：100V RDS（ON）Max：0.24Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 芯片材 阅读全文
posted @ 2022-06-24 09:46
ASEMI首芯
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编辑：ll 90N10-ASEMI高压MOS管90N10 型号：90N10 品牌：ASEMI 封装：TO-220AB 最大漏源电流：90A 漏源击穿电压：100V RDS（ON）Max：0.08Ω 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 工作 阅读全文
posted @ 2022-06-23 10:13
ASEMI首芯
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编辑：ll 60N10-ASEMI高压MOS管60N10 型号：60N10 品牌：ASEMI 封装：TO-263 最大漏源电流：60A 漏源击穿电压：100V RDS（ON）Max：0.24Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 芯片材质： 封装尺寸 阅读全文
posted @ 2022-06-23 10:06
ASEMI首芯
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编辑：ll 25N120-ASEMI高压MOS管25N120 型号：25N120 品牌：ASEMI 封装：TO-247 最大漏源电流：25A 漏源击穿电压：1200V RDS（ON）Max：0.12Ω 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管 漏电流：ua 特性：N沟道MOS管、场效应管 阅读全文
posted @ 2022-06-22 10:18
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