ASEMI首芯

2022年10月25日

摘要：编辑：ll IPW65R080CFDA英飞凌车规MOS管\原装现货\ASEMI代理型号：IPW65R080CFDA 品牌：ASEMI 封装：TO-247 最大漏源电流：137A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：0.072Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL 漏阅读全文

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2022年10月24日

FCH041N65F安森美车规MOS管\原装现货ASEMI代理

摘要：编辑：ll FCH041N65F安森美车规MOS管\原装现货ASEMI代理型号：FCH041N65F 品牌：ASEMI 封装：TO-247 最大漏源电流：137A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：0.08Ω 引脚数量：3 特性：车规级MOS管芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管漏阅读全文

posted @ 2022-10-24 10:58 ASEMI首芯阅读(127) 评论(0) 推荐(0)

NVHL040N65S3F安森美车规MOS管\原装现货\ASEMI代理

摘要：编辑：ll NVHL040N65S3F安森美车规MOS管\原装现货\ASEMI代理型号：NVHL040N65S3F 品牌：ASEMI 封装：TO-247 最大漏源电流：99.6A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：0.24Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL 漏阅读全文

posted @ 2022-10-24 10:42 ASEMI首芯阅读(56) 评论(0) 推荐(0)

2022年10月22日

STW43NM60ND意法车规MOS管\原装现货ASEMI代理

摘要：编辑：ll STW43NM60ND意法车规MOS管\原装现货ASEMI代理型号：STW43NM60ND 品牌：ASEMI 封装：TO-247 最大漏源电流：35A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：0.08Ω 引脚数量：3 特性：车规级MOS管芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管漏阅读全文

posted @ 2022-10-22 11:20 ASEMI首芯阅读(236) 评论(0) 推荐(0)

STW78N65M5意法车规MOS管\原装现货\ASEMI代理

摘要：编辑：ll STW78N65M5意法车规MOS管\原装现货\ASEMI代理型号：STW78N65M5 品牌：ASEMI 封装：TO-247 最大漏源电流：69A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：0.24Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL 漏电流：特性：车规阅读全文

posted @ 2022-10-22 10:25 ASEMI首芯阅读(83) 评论(0) 推荐(0)

2022年10月21日

FGH40N60SMD安森美车规MOS管\原装现货ASEMI代理

摘要：编辑：ll FGH40N60SMD安森美车规MOS管\原装现货ASEMI代理型号：FGH40N60SMD 品牌：ASEMI 封装：TO-247 最大漏源电流：40A 漏源击穿电压：600V RDS（ON）Max：0.08Ω 引脚数量：3 特性：车规级MOS管芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管阅读全文

posted @ 2022-10-21 10:44 ASEMI首芯阅读(323) 评论(0) 推荐(0)

AIGW40N65H5英飞凌车规MOS管\原装现货\ASEMI代理

摘要：编辑：ll AIGW40N65H5英飞凌车规MOS管\原装现货\ASEMI代理型号：AIGW40N65H5 品牌：ASEMI 封装：TO-247 最大漏源电流：40A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：0.24Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL 漏电流：特性阅读全文

posted @ 2022-10-21 10:11 ASEMI首芯阅读(82) 评论(0) 推荐(0)

2022年10月20日

AIGW50N65H5英飞凌车规MOS管\原装现货ASEMI代理

摘要：编辑：ll AIGW50N65H5英飞凌车规MOS管\原装现货ASEMI代理型号：AIGW50N65H5 品牌：ASEMI 封装：TO-247 最大漏源电流：50A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：0.08Ω 引脚数量：3 特性：车规级MOS管芯片个数：沟道类型：N沟道MOS管阅读全文

posted @ 2022-10-20 15:41 ASEMI首芯阅读(155) 评论(0) 推荐(0)

DS145-16A艾赛斯车规MOS管\原装现货\ASEMI代理

摘要：编辑：ll DS145-16A艾赛斯车规MOS管\原装现货\ASEMI代理型号：DS145-16A 品牌：ASEMI 封装：TO-247-2L 最大漏源电流：45A 漏源击穿电压：1600V RDS（ON）Max：0.24Ω 引脚数量：2 沟道类型：N沟道MOS管芯片尺寸：MIL 漏电流：特性阅读全文

posted @ 2022-10-20 11:15 ASEMI首芯阅读(53) 评论(0) 推荐(0)

2022年10月19日

STTH6010-Y意法半导体MOS管\原装现货ASEMI代理

摘要：编辑：ll STTH6010-Y意法半导体MOS管\原装现货ASEMI代理型号：STTH6010-Y 品牌：ASEMI 封装：TO-247-2L 最大漏源电流：60A 漏源击穿电压：1000V RDS（ON）Max：0.08Ω 引脚数量：2 特性：车规级MOS管芯片个数：沟道类型：N沟道MOS 阅读全文

posted @ 2022-10-19 15:40 ASEMI首芯阅读(71) 评论(0) 推荐(0)

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