ASE140N04-ASEMI低压N沟道MOS管ASE140N04

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ASE140N04-ASEMI低压N沟道MOS管ASE140N04

型号：ASE140N04

品牌：ASEMI

封装：TO-220F

最大漏源电流：140A

漏源击穿电压：40V

RDS（ON）Max：0.04Ω

引脚数量：3

芯片个数：

沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管

漏电流：ua

特性：N沟道MOS管、场效应管

工作温度：-55℃~175℃

备受欢迎的ASE140N04 MOS管

  ASEMI品牌ASE140N04是采用工艺芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力，能够持续保证了ASE140N04的最大漏源电流140A，漏源击穿电压40V.

•细节体现差距

ASE140N04,ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。

ASE140N04具体参数为：最大漏源电流：140A，漏源击穿电压：40V，反向恢复时间： ns，封装：TO-220F