2023年2月20日
ASE20N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管ASE20N65SE
摘要： 编辑：ll ASE20N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管ASE20N65SE 型号：ASE20N65SE 品牌：ASEMI 封装：TO-247 最大漏源电流：20A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：0.42Ω 引脚数量：3 芯片个数： 沟道类型：N沟道MOS管、低压MOS管 漏电 阅读全文
posted @ 2023-02-20 11:35 ASEMI首芯 阅读(40) 评论(0) 推荐(0)
ASE50N03-ASEMI低压N沟道MOS管ASE50N03
摘要： 编辑：ll ASE50N03-ASEMI低压N沟道MOS管ASE50N03 型号：ASE50N03 品牌：ASEMI 封装：TO-252 最大漏源电流：50A 漏源击穿电压：30V RDS（ON）Max：5.8mΩ 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 阅读全文
posted @ 2023-02-20 11:18 ASEMI首芯 阅读(71) 评论(0) 推荐(0)