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posted @ 2021-05-09 21:18
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由于CPU采集电压是通过上下两个电路的比例来采集的，所以上面或下面的电阻异常都有可能导致 CPU采集到的电压异常，但用万用表量不出异常的时候判断是哪里出问题就比较困难。 一种办法是，用两个 DC Power给 Rs 上部和 NTC上部灌 一样的电压，比如0.9V，这样 Rs 两端电压相等，没有电流流 阅读全文
posted @ 2021-03-13 15:23
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原因：GND open X-Ray没看出异常来是因为， x-ray只是看用锡量的，锡量够不代表就不会open，可能存在异物导致 open. 恢复内容结束 阅读全文
posted @ 2021-03-13 14:56
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整体看过一个共源结构，用辅助定理 不考虑RP时，Gm = gm1 令从M1 漏端D向上看的阻抗为 Rx Rout = RD 阅读全文
posted @ 2021-02-16 22:46
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戴维南法 1. 将RD 断开，此时因没有电流回路，流过Rs的电流为0，Vx = Vin ; 但此时gmV1，ro，gmbVbs 构成两个回路，流过ro 的总电流为 (gm+gmb)Vin = (Vout - Vin)/ro 可计算出等效电压 2. 根据3.3.6节公式可算出等效电阻 3. 计算Av 阅读全文
posted @ 2021-02-16 21:04
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计算Av方法一 Vout = Δid·Rs Δid = Gm·Vin 则可计算出 Av = ______ PS：Gm 可通过3.3.6节的公式直接计算 方法二：戴维南 1. 求等效电压 将 1/gmb 断开，此时输出回路没有电流，即V1 = 0， Vx = Vin 2. 求等效电阻 将 1/gmb 阅读全文
posted @ 2021-02-16 19:49
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辅助定理 - 电压增益等于 -GmRout - 等效跨导： 计算等效跨导时要将输出与地短接，为什么？ ？当MOS处于饱和区时，VD的变化对ID的影响不存在(不考虑沟道调制效应)，故将输出端D短接到地 输出电阻计算 考虑体效应，沟道调制时Gm 不考虑体效应，沟道调制时Gm 总输出电阻为RD。套用计算输 阅读全文
posted @ 2021-02-16 18:37
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基本接法 接法如上图所示，G和D短接在一起，此时MOS处于饱和区。 阻抗计算 - 从栅极D向下看 这里没有gm，因为源极S接地 - 从源端S向上看 - Question： 为什么这里电流源要考虑阻抗，而3.3.1节没有考虑？ 答：3.3.1节中源极S是接地的，小信号等效电路中Vgs为0，电流源的电流 阅读全文
posted @ 2021-02-16 13:20
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基本电路描述 基本电路如上图(a)所示。当输入Vin从0到VDD变化时，Vout的变化如上图(b)所示。当Vin<Vth时，MOS不导通，流过RD的电流为0，输出电压Vout为VDD。当Vin>Vth时，此时ID比较小，RD上分压也比较小，Vout比较大，MOS处于饱和区。随着Vin的逐渐增加，ID 阅读全文
posted @ 2021-02-16 11:42
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