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2023年12月10日

"firmwarepasswd": MacOS Firmware Password Management: CHECK and DELETE Macbook Pro Firmware Password from the command line.

摘要： Abaels-MacBook-Pro:~ abaelhe$ su Password: bash-3.2# firmwarepasswd -check Password Enabled: Yes bash-3.2# firmwarepasswd -delete Delete Firmware Pass 阅读全文

posted @ 2023-12-10 23:45 abaelhe 阅读(48) 评论(0) 推荐(0)

ICEE-Power-功率半导体: Si MOSFET、IGBT和SiC MOSFET栅极驱动器 + Insulating Gate Drving栅极隔离驱动

摘要： https://view.inews.qq.com/k/20220217A01CMH00 IGBT 和 SiC 电源开关有哪些市场和应用？高效的电源转换在很大程度上由系统使用的功率半导体器件确定。由于功率器件技术不断改进，大功率应用的效率越来越高并且尺寸越来越小。包括 IGBT 和 SiC M 阅读全文

posted @ 2023-12-10 16:20 abaelhe 阅读(109) 评论(0) 推荐(0)

ICEE-Power-IGBT(电压驱动型, 绝缘栅双极型晶体管)的功率转换实例: 电磁加热

摘要：电磁加热器是用IGBT模块实现小电压信号控制超大电流调制成高频高功率电磁感应电能。 IGBT模块全称“绝缘栅双极型晶体管”由BJT(双极型三极管)和MOS(缘栅型场效应管)组成的复合三极管，是全控–电压驱动式(驱动功率小和饱和压低) - 综合BJT和MOS优点的功率半导体器件。 IGBT可用作信号阅读全文

posted @ 2023-12-10 14:52 abaelhe 阅读(70) 评论(0) 推荐(0)

2023年12月8日

ICEE-RF Trisistors-

摘要： Radio frequency (RF) transistors RF Transistor subcategories Low Noise RF Transistors High Linearity RF Transistors RF Mosfet and Active Bias Controll 阅读全文

posted @ 2023-12-08 13:26 abaelhe 阅读(11) 评论(0) 推荐(0)

ICEE-MOS+BJT: 场效应管和三极管的比较

摘要：场效应管是在三极管的基础上而开发出来的。三极管通过电流的大小控制输出，输入要消耗功率。场效应管是通过输入电压控制输出，不消耗功率。场效应管和三极管的区别是电压和电流控制，但这都是比较的。电压控制的也需要电流，电流控制的也需要电压，只是比较要小而已。就其性能，场效应管要明显优于普通三极管，不阅读全文

posted @ 2023-12-08 03:44 abaelhe 阅读(418) 评论(0) 推荐(0)

ICEE-开关电源的驱动控制原理: 二极管 + MOS管工作原理 + CMOS | SiC | Gas + Digital Circuits + RF Trisistors

摘要：背景知识: 半导体行业是政策、情报、组织管理、资本、智力、科技、工艺、设备都密集型。半导体的生产研究涉及全球政治合作与竞争、产业与资本分布、高精尖科学工艺(精密化工, 尖端物理, 数学)、产业分工合作、组织管理、情报与科技交流严密等，多为主权力量或产业资本组织高层次人才与资本直接或间接运营。 F 阅读全文

posted @ 2023-12-08 01:03 abaelhe 阅读(361) 评论(0) 推荐(0)

2023年12月6日

SciTech-EECS-Power-FET: $\large \text{Static characteristics}$ + $\large V_{GS} 与 V_{DS}$决定四工作区 + FET适配MCU或TTL信号 + $\large V_{GS}$振荡消除 + 分立驱动(单BJT升压或双BJT推挽扩流) 或专用驱动(如UC3842) + Infineon产MOSFET示例

摘要： SciTech-EECS-Power-FET: $\large V_{GS} 与 V_{DS}$决定四工作区(关断|变阻|恒流|击穿) + FET适配(升压+扩流)驱动电路 + 分立电路(单三极管升压或双三极管推挽扩流) 或专用驱动芯片(如UC3842) + MOSFET产品 Rds=1.1 阅读全文

posted @ 2023-12-06 17:33 abaelhe 阅读(134) 评论(0) 推荐(0)

ICEE-将SiC/GaS功率MOSFET与应用电路集成封装的IC系列

摘要： BM2SCQ124T-LBZ@ROHM 内置1700V SiC-MOSFET的准谐振AC/DC转换器为所有带插座的设备提供很好的电源系统。采用准谐振实现软开关，有助于降低EMI。内置1700V/4A SiC MOSFET简化设计。通过外部连接电流检测电阻，可以实现高度灵活的电源设计。采用突发工阅读全文

posted @ 2023-12-06 12:54 abaelhe 阅读(39) 评论(0) 推荐(0)

功率开关管的转换效率:IRFP系列MOSFET@Vishay +SiC碳化硅MOSFET@Infinion+ROHM +GaS氮化镓MOSFET@Microchip+Infinion+Wolfspeed+GanSystem

摘要： Vishay Intertechnology [PDF]High-Voltage Silicon MOSFETs, GaN, and SiC: All have a place WebPhilip Zuk, Director of Market Development, High-Voltage M 阅读全文

posted @ 2023-12-06 10:40 abaelhe 阅读(119) 评论(0) 推荐(0)

2023年12月5日

ICEE-eFuse电子保险丝

摘要： eFuse的原理是以测量电压(已知高精密电阻分压分流网络上的)和内部高精密参考电压，经过ADC变换成数字信号，通过计算来精准检测电流电压，并且在电流超过设计限值时，通过场效应晶体管 (FET) 切断电流。 2022年10月13日07:30 电子工程世界官方账号 FUSE(热保险管/丝)作为一种基阅读全文

posted @ 2023-12-05 23:41 abaelhe 阅读(709) 评论(0) 推荐(0)

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