2023年12月6日
SciTech-EECS-Power-FET: $\large \text{Static characteristics}$ + $\large V_{GS} 与 V_{DS}$决定四工作区 + FET适配MCU或TTL信号 + $\large V_{GS}$振荡消除 + 分立驱动(单BJT升压 或 双BJT推挽扩流) 或专用驱动(如UC3842) + Infineon产MOSFET示例
摘要： SciTech-EECS-Power-FET: \(\large V_{GS} 与 V_{DS}\)决定四工作区(关断|变阻|恒流|击穿) + FET适配(升压+扩流)驱动电路 + 分立电路(单三极管升压 或 双三极管推挽扩流) 或专用驱动芯片(如UC3842) + MOSFET产品 Rds=1.1 阅读全文
posted @ 2023-12-06 17:33 abaelhe 阅读(134) 评论(0) 推荐(0)
ICEE-将SiC/GaS功率MOSFET与应用电路集成封装的IC系列
摘要： BM2SCQ124T-LBZ@ROHM 内置1700V SiC-MOSFET的准谐振AC/DC转换器 为所有带插座的设备提供很好的电源系统。采用准谐振实现软开关，有助于降低EMI。 内置1700V/4A SiC MOSFET简化设计。 通过外部连接电流检测电阻，可以实现高度灵活的电源设计。采用突发工 阅读全文
posted @ 2023-12-06 12:54 abaelhe 阅读(39) 评论(0) 推荐(0)
功率开关管的转换效率:IRFP系列MOSFET@Vishay +SiC碳化硅MOSFET@Infinion+ROHM +GaS氮化镓MOSFET@Microchip+Infinion+Wolfspeed+GanSystem
摘要： Vishay Intertechnology [PDF]High-Voltage Silicon MOSFETs, GaN, and SiC: All have a place WebPhilip Zuk, Director of Market Development, High-Voltage M 阅读全文
posted @ 2023-12-06 10:40 abaelhe 阅读(119) 评论(0) 推荐(0)