随笔分类 - Infineon/英飞凌专区
收录、分享 Infineon/英飞凌 相关技术方案及内容
摘要:英飞凌推出高速吹风机解决方案,采用PSOC™ Control C3 MCU和CoolGaN™技术,实现高转速、低噪音、高效能电机控制。
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摘要:大家对氢元素肯定都不陌生,认识它基本都是从背元素周期表开始的。近年来我们身边多了很多氢的身影,从北京冬奥会的氢燃料电池大巴,再到广州南沙小虎岛电氢智慧能源站,氢也越来越被大家熟知。工业上,氢的使用可是一点都不少,自 1975 年以来,需求量增长了三倍,而且还在继续增长。然而,氢气生产目前几乎全部由化
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摘要:随着电动汽车越来越被大众接受,车辆电气化、智能化程度越来越高,如何提高电动汽车的续航里程,同时保障车辆安全可靠持久运行是当前最主要的技术难题之一。
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摘要:在碳化硅(SiC)技术的应用中,许多工程师对SiC的性能评价存在误解,尤其是关于“单位面积导通电阻(Rsp)”和“高温漂移”的问题。作为“碳化硅何以英飞凌”的系列文章,本文将继续为您揭开这些误区的真相
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摘要:全社会都在积极推动低碳化转型,而低碳化的背后其实是电气化。在新型电气能源架构中,相比于从前,一次能源到终端用户的能源转换次数增多。。。
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摘要:为了方便实现可靠的驱动设计,英飞凌的驱动集成电路自带了一些重要的功能,本系列文章以阅读杂谈的方式讲解如何正确理解和应用这些功能,也建议读者收藏和阅读推荐的资料以作参考。
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摘要:驱动电路设计是功率半导体应用的难点,涉及到功率半导体的动态过程控制及器件的保护,实践性很强。
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摘要:工业应用中,功率半导体的驱动电源功率不大,设计看似简单,但要设计出简单低成本的电路并不容易,主要难点有几点。。。
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摘要:在电动汽车(EV)领域,OBC设计的一个关键目标是提升功率密度,因为更轻的产品会给汽车减重从而有利于增加续航里程。
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摘要:英飞凌在开发电容式微机械超声波传感器(CMUT)技术方面取得重大进展。凭借这项技术,公司推出首款高度集成的单芯片解决方案,该方案基于微机电系统(MEMS)的超声波传感器。。。
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摘要:在英飞凌,我们一直坚信卓越的音频解决方案对于提升消费类设备的用户体验至关重要。我们坚定不移地致力于创新,在主动降噪、语音透传、录音室录音、音频变焦和其他相关技术方面取得了显著进步,对此我们深感自豪。
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摘要:功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。。。
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摘要:功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。
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摘要:功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。
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摘要:/ 前言 / 功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。 功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识,相关标准和工程测量方法。 为什么引入结构函数? 在功
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摘要:任何导热材料都有热阻,而且热阻与材料面积成反比,与厚度成正比。按道理说,铜基板也会有额外的热阻,那为什么实际情况是有铜基板的模块散热更好呢?
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摘要:上一篇讲了两种热等效电路模型,Cauer模型和Foster模型,这一篇以二极管的浪涌电流为例,讲清瞬态热阻曲线的应用。
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摘要:/ 前言 / 功率半导体热设计是实现IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。 功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识,相关标准和工程测量方法。 有了热阻热容的概念
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摘要:/ 前言 / 功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。 功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识,相关标准和工程测量方法。 确定热阻抗曲线 测量原理—
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摘要:功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识,相关标准和工程测量方法。
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