摘要: IGBT测试仪-苏州永创智能科技-STD6500-IGBT静态参数测试仪 苏州永创智能科技-STD6500-IGBT静态参数测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试,还可以测量大功率二极管 、IGBT模块,大功率 IGBT、大功率双极型晶体管,MOS管等器件的 V-I 特性测试,测试1200A(可扩 阅读全文
posted @ 2025-11-12 13:26 FORCREAT-苏州永创 阅读(5) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 苏州永创智能科技详解“CMTI测试电源”共模瞬态抗扰度测试方案及标准(光耦-隔离芯片-传感芯片) CMTI测试电源/全固态纳秒高压脉冲源、超宽带高压皮秒脉冲源、数百kV级的皮秒纳秒EMP/HPEM特斯拉Q 发生器、系统集成和定制、参数化脉冲电源、通用纳秒脉冲源、生物医疗脉冲源(IVL& IRE脉冲源 阅读全文
posted @ 2025-11-11 17:05 FORCREAT-苏州永创 阅读(7) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 在生物医学工程的前沿领域,一种名为“不可逆电穿孔”(IRE),俗称“纳米刀”的技术,正为肿瘤治疗带来革命性的变化。它并非依靠热效应,而是利用高频高压电脉冲,在细胞膜上形成无数纳米级的不可逆孔洞,精准诱导癌细胞凋亡。 而这把“电手术刀”的核心驱动力,正是一款高性能的纳米刀脉冲电源。今天,我们就从工程视 阅读全文
posted @ 2025-11-06 17:32 FORCREAT-苏州永创 阅读(10) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 睿能·非衡_系列 正负不对称双极性脉冲电源 PPS±feih 在现代制造业与科研领域,从智能手机的金属光泽表面,到切削工具上坚硬的保护涂层,再到芯片内部纳米级的绝缘薄膜——这些看似普通的表面背后,都离不开一项关键工艺:真空镀膜。而在实现高质量镀膜的过程中,一种创新的正负不对称双极性脉冲电源技术正在悄 阅读全文
posted @ 2025-11-05 15:44 FORCREAT-苏州永创 阅读(10) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 苏州永创睿能·非衡_系列 正负不对称双极性脉冲电源 PPS±feih 正负不对称双极性脉冲电源 1. 产品概述 正负不对称双极性脉冲电源PPS±feih苏州永创智能科技有限公司开发生产。睿能·非衡系列电源专为高级镀膜工艺而设计的高精度、高性能电源解决方案。 正负不对称双极性脉冲电源PPS±feih它 阅读全文
posted @ 2025-11-04 09:40 FORCREAT-苏州永创 阅读(16) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 一、什么是半导体静态电性测试? 简单来说,半导体静态电性测试就是通过施加电压、电流,测量器件在不同电气条件下的响应,从而判断其性能是否符合设计标准。测试内容包括: 静态参数:如漏电流、阈值电压、饱和压降等; 动态参数:如开关时间、反向恢复时间等; IV曲线:描绘电流与电压之间的关系,直观反映器件工作 阅读全文
posted @ 2025-11-03 11:23 FORCREAT-苏州永创 阅读(15) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 在半导体设计与制造中,静态参数测试是验证器件性能与可靠性的基石。无论是研发阶段的特性分析,还是量产中的质量控制,对器件直流参数、IV曲线、动态响应等关键指标的精准捕捉,都直接影响产品的最终表现。 然而,传统测试系统往往面临精度不足、兼容性差、扩展性弱等挑战,尤其在面对第三代半导体材料(如SiC、Ga 阅读全文
posted @ 2025-10-30 14:56 FORCREAT-苏州永创 阅读(56) 评论(0) 推荐(1)
摘要: —— 走进-苏州永创-STD2000X半导体电性测试系统的技术世界 在现代电子设备中,半导体器件如同人体的“心脏”与“神经”,其性能直接决定了整机的可靠性与效率。而如何对这些微小的“电子器官”进行全面、精准的“体检”,成为了半导体研发、制造与质量控制中不可或缺的一环。今天,我们就来聊聊半导体测试背后 阅读全文
posted @ 2025-10-29 10:01 FORCREAT-苏州永创 阅读(39) 评论(0) 推荐(0)
摘要: 半导体分立器件电参数测试仪系统测试哪些参数 测试参数主要是静态参数,如下所示 能测很多电子元器件静态参数以及IV曲线扫描。如 Si, SiC, GaN 材料的 IGBTs,Diodes,MOSFETs,HEMT,BJTs,SCRs,光耦,继电器,稳压器......可以外接夹具、工装、探针台、分选机、 阅读全文
posted @ 2025-10-27 15:29 FORCREAT-苏州永创 阅读(4) 评论(0) 推荐(0)
摘要: IV曲线追踪扫描仪&半导体图示仪能测IGBT. Mosfet. Diode. BJT...... STD2000X—IV曲线追踪扫描仪系统能测试很多电子元器件的静态直流参数(如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压 阅读全文
posted @ 2025-10-24 15:15 FORCREAT-苏州永创 阅读(13) 评论(0) 推荐(0)