加能电源-STD2000X半导体静态参数测试系统：面向多场景的高精度器件表征解决方案

在半导体器件研发与制造过程中，电性参数测试是验证器件性能、保障产品可靠性的核心环节。随着第三代半导体材料的广泛应用，测试系统在精度、灵活性与场景适配能力方面面临更高要求。STD2000X 半导体静态参数测试系统，作为苏州永创智能科技公司旗下加能电源团队推出的综合测试平台，为分立器件、复合器件及IC产品提供了从研发验证到量产筛选的全流程解决方案。

一、广泛的器件覆盖与参数测试能力
STD2000X 系统支持超过20类常见半导体器件的静态参数测试，涵盖：

功率器件：IGBT、MOSFET、JFET、SCR、TRIAC
双极型器件：BJT、达林顿阵列
二极管与保护类元件：Zener、DIAC、MOV、Varistor、SSOVP
光电组件：光耦、光电开关、光电逻辑模块
集成模块：IPM、三端稳压器
测试参数包括 BVCES、VGS(th)、RDS(on)、HFE、CTR、VF、IR 等关键指标，系统具备 pA 级微电流与 nA 级漏电流的精确测量能力，适用于高阻态、低功耗器件的测试需求。

二、IV曲线扫描与动态参数分析
除基本静态参数测试外，系统集成 IV 曲线扫描功能，可实时绘制多种特性曲线，包括：

IC vs VCE（IGBT输出特性）
ID vs VDS（MOSFET输出特性）
HFE vs IC（BJT电流增益特性）
IF vs VF（二极管正向特性）
系统同时支持光耦开关时间参数（tpLH, tpHL, Tr, Tf）与二极管反向恢复时间（Trr）测量，适用于动态性能分析与频率响应评估。

三、灵活的源与测量配置
系统在电压与电流源的输出与测量方面具备较强的扩展性：

电压源：支持 2000V 高压输出，可扩展至 3kV
电流源：基础配置 100A，可选配至 1000A
驱动能力：栅极电压最高 100V，适应 SiC、GaN 等宽禁带器件的驱动需求
测量单元采用 16 位 ADC 架构，采样速率达 1M/S，结合开尔文感应结构，有效补偿线路压降，保障系统在宽量程范围内的测量一致性。

四、适用于研发与量产的多场景测试
STD2000X 可灵活适配不同阶段的测试需求：

研发验证：用于器件设计初期的性能评估与模型校正
失效分析：定位异常器件的参数偏移与失效机制
来料检验：对入厂器件进行电性参数全覆盖检测
量产筛选：通过 Handler 接口连接分选机、探针台，实现自动化分类与打标
系统支持高低温试验舱接入，可在 -55°C 至 +150°C 范围内进行温度特性测试，模拟器件实际工作环境。

五、软件平台与系统校准
系统程控软件基于模块化架构开发，提供填充式菜单界面，支持测试流程自定义与数据导出。用户可通过内置校准程序对电压、电流等关键指标进行周期性校验，确保系统长期运行的准确性。

结语

STD2000X 半导体静态参数测试系统在器件覆盖、测试精度与系统扩展性方面表现出较强的综合能力，适用于从实验室研发到批量生产的全流程测试场景。该系统由苏州永创公司-加能电源团队自主开发，在软硬件协同设计与场景适配方面具备较好的灵活性，为半导体器件设计与应用提供了可靠的测试数据支撑。