2025年1月21日
【模拟电子技术】10-基本放大电路的构成
摘要： 【模拟电子技术】10-基本放大电路的构成 交流骑在直流源上产生IB控制IC 加上集电极反偏直流电压源后，满足工作在放大区的条件 现在考虑如何输出 我们用IB控制IC，得到的是电流，想得到电压信号，加电阻即可。但是如果直接在Uo两端接负载，那么输出的会有直流，体现不出交流，因此需要图中Rc的位置。 接 阅读全文
posted @ 2025-01-21 14:27 LilMonsterOvO 阅读(45) 评论(0) 推荐(0)
【模拟电子技术】09-结型场效应管和特性
摘要： 【模拟电子技术】09-结型场效应管和特性 D和S本来是导通的，在GS施加反压，使得PN结加宽，最终真正地夹断 UGS小于0是因为大于0，PN结将导通。这是N型的，如果是P型那就是反过来，总之不能让PN结导通 这里为什么叫转移特性曲线，因为栅极并没有电流，没法研究其输入电流和电压UGS的关系，因此研究 阅读全文
posted @ 2025-01-21 10:43 LilMonsterOvO 阅读(114) 评论(0) 推荐(0)
【模拟电子技术】08-MOS管的工作原理
摘要： 【模拟电子技术】08-MOS管的工作原理 MOS管是双极型的器件，有少子参与导电，因此受到温度影响较大。 注意两个N极周围的不是SiO2是PN结 这里刚开始加UGS时，空穴往外排斥，再加电压，P区少子，即电子向栅极靠拢，因而形成通道 现在UGS已经可以控制电子通道大小，这可以看作是一个源极和漏极的电 阅读全文
posted @ 2025-01-21 00:10 LilMonsterOvO 阅读(116) 评论(0) 推荐(0)
2025年1月20日
【模拟电子技术】07-BJT特性曲线共射
摘要： 【模拟电子技术】07-BJT特性曲线共射 我们要用三极管，那么就必须考虑输入和输出，即考虑输入特性曲线和输出特性曲线 UCE固定，考虑UBE和IB的关系，就相当于一个PN结了！考虑多个变量的关系时，我们往往固定其他变量，然后看其中两个变量的关系，然后两两拿出来观察。 三极管有三种基本工作状态：截止状 阅读全文
posted @ 2025-01-20 22:12 LilMonsterOvO 阅读(194) 评论(0) 推荐(0)
2025年1月14日
【模拟电子技术】06-双极晶体管的结构与放大原理
摘要： 【模拟电子技术】06-双极晶体管的结构与放大原理 图（b）中我们可以看到三个区的分类，发射区之所以为发射区是因为掺杂浓度高，才能发射电子出去。而集电区掺杂浓度低，就好比我们想让一个房间当作仓库，那么它的空间肯定要大，里面原本不能是放了很多东西。 下图NPN晶体管中发射结正偏，集电极反偏 如图发射极接 阅读全文
posted @ 2025-01-14 20:40 LilMonsterOvO 阅读(113) 评论(0) 推荐(0)
2025年1月10日
【模拟电子技术】05-二极管的微变等效和稳压二极管
摘要： 【模拟电子技术】05-二极管的微变等效和稳压二极管 经过图中推导可得到等效电阻与温度当量UT相关，并且与托高作用的直流电压相关，下面是二极管的微变等效思路。 等效后电路如下，注意直流电压源已经等效在坐标图中将原点移动，因此分析的时候不要再考虑。 至此二极管V-A特性曲线正向的已经利用完，接下来应该考 阅读全文
posted @ 2025-01-10 17:30 LilMonsterOvO 阅读(224) 评论(0) 推荐(0)
【模拟电子技术】04-二极管的直流等效电路
摘要： 【模拟电子技术】04-二极管的直流等效电路 上节提到PN结形成到二极管，并且了解到二极管V-A特性曲线每一段都能利用，并且可以规定电流路径。 使用二极管的时候需要关注它的主要参数 这四个参数中的每一个在使用的时候都需要考虑，如果没有选择好规格的话，使用时就可能烧坏。 不难看出 V<UD时，电流为0； 阅读全文
posted @ 2025-01-10 12:07 LilMonsterOvO 阅读(160) 评论(0) 推荐(0)
2025年1月9日
【模拟电子技术】03-PN与二极管的特性
摘要： 【模拟电子技术】03-PN与二极管的特性 上节中有提到对PN结施加反向电压时，会使得PN结所形成的势垒增加，阻止多子到另一边。在掺杂浓度比较低的时候，外加电场加强，中间的耗尽层会加长，变成了一个粒子加速器，自由电子进去后不断加速。直到某一电场强度时，粒子加速足够大的时候，撞在了共价键上，破坏共价键中 阅读全文
posted @ 2025-01-09 20:33 LilMonsterOvO 阅读(116) 评论(0) 推荐(0)
2025年1月8日
【模拟电子技术】02-PN结的形成
摘要： 【模拟电子技术】02-PN结的形成 半导体就是导电能力介于导体和半导体之间的东西， 本征半导体即纯净的半导体。 导电靠自由电子，可看到自由电子即使是本征激发也少，导电能力也不够。自由电子撞在空穴中，就是复合（与本征激发相反），两者发生的频率决定着载流子的浓度，其实是温度的改变决定着载流子浓度变化，T 阅读全文
posted @ 2025-01-08 21:22 LilMonsterOvO 阅读(133) 评论(0) 推荐(0)
2024年11月14日
Verilog中genvar 和 generate的使用
摘要： 1. genvar 和 generate 的作用 genvar 是一种特殊的数据类型，用于在 generate 语句块中定义 循环变量。与普通变量不同的是，genvar 只能用于 generate 语句中，并且只能用于生成时刻（编译时）进行评估，而非仿真时。 generate 块用于生成硬件逻辑。它 阅读全文
posted @ 2024-11-14 16:03 LilMonsterOvO 阅读(1731) 评论(0) 推荐(0)