【模拟电子技术】07-BJT特性曲线共射

【模拟电子技术】07-BJT特性曲线共射

我们要用三极管，那么就必须考虑输入和输出，即考虑输入特性曲线和输出特性曲线

UCE固定，考虑UBE和IB的关系，就相当于一个PN结了！考虑多个变量的关系时，我们往往固定其他变量，然后看其中两个变量的关系，然后两两拿出来观察。

三极管有三种基本工作状态：截止状态、放大状态和饱和状态。这些状态由两个PN结的偏置条件决定：

• 放大状态：发射极正偏，集电极反偏。此时，Ib（基极电流）控制Ic（集电极电流），Ic与Ib近似于线性关系。Ic max（集电极电流的最大值）始终大于βIb。
• 饱和状态：发射极正偏，集电极也正偏（分成两个PN结来看，都是降低了电子通过的门槛）。此时，Ic达到最大值，集电极和发射极之间的内阻最小，三极管没有放大作用，相当于开关被接通。βIb的值达到或超过Ic max
• 截止状态：发射极反偏，集电极反偏。此时，三极管相当于关断。

输入特性即二极管正向特性，温度每升高一度，UBE降低2-2.5mV

关于饱和区的问题，饱和是指即使基极电流继续增加，集电极电流也不会再显著增加。那么我们如何从输出特性曲线中读出这一点呢，我很有疑惑，翻阅书籍后我目前的理解是。在饱和区域（低 VCE 部分），所有曲线趋于变平。这表示无论基极电流 IB如何变化，集电极电流 IC都接近一个固定值。

或者这样理解更好，因为直接从图中读上述信息似乎对我有些困难，因此我认为饱和区是指IC不仅和IB有关并且随着UCE增大而明显增大，受到IB影响极小，不是主要因素了。所以认为饱和。

Multisim可以帮助我们更好地理解各器件的特性，比如三极管，我们可以从立创商城找到某个器件的数据手册，然后我们查阅找到参数，比如放大倍数β（手册中为hFE）

下面是将手册发给GPT后的解读：

在这份参数手册中，可以通过查看 "Forward-Current Transfer Ratio (hFE)" 来确定三极管的放大倍数（也称电流放大倍数或增益）。具体内容如下：

1. 放大倍数范围：
   • hFE（静态电流增益）的值范围在手册中列出：
     • IC = 10 µA, VCE = 10 V：hFE 最小值为 20。
     • IC = 150 mA, VCE = 10 V：hFE 最小值为 50，最大值为 300。
     • IC = 500 mA, VCE = 10 V：hFE 最大值为 100。
   • 这表明放大倍数因工作条件（集电极电流 IC 和集电极-发射极电压 VCE）而变化。
2. 动态特性放大倍数：
   • hfe（小信号短路正向电流传输比）也给出了动态特性的放大倍数：
     • IC = 1 mA, VCE = 5 V：hfe 在 80 到 200 之间。
     • IC = 5 mA, VCE = 10 V：hfe 在 90 到 270 之间。
   • hfe 通常用于交流信号分析，与静态放大倍数 hFE 区别在于测试条件动态变化。

然后我们通过Multisim的IV分析仪可以观察到三极管2N1711的输出特性曲线确实如此