2020年12月3日
嵌入式STT-MRAM效应与流致反转
摘要： 最初的MRAM都是用微电磁线圈产生电磁场，使自由层的磁矩方向反转来进行0、1数据的读写。这种复杂的结构大大地制约了MRAM存贮单元的微型化进程，因此当时MRAM的存贮密度远远不及DRAM和SRAM。 后来科学家们想出了用自旋极化的电子流脉冲取代微电磁线圈的突破方案。穿过微磁粒的自旋极化电子流脉冲具有 阅读全文
posted @ 2020-12-03 14:05 宇芯电子 阅读(316) 评论(0) 推荐(0)