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2025年4月8日

Cache的读写流程

摘要: 读流程 流程图 写流程 当数据命中时: 新写入的数据与主存中的数据不一致,称为脏数据 写回策略:简单理解为,仅将数据写入cache就返回 当数据缺失时: 写分配策略 流程图 总结 阅读全文

posted @ 2025-04-08 17:47 swj2529411658 阅读(43) 评论(0) 推荐(0)

2025年4月7日

主存系统的优化——双端存储器、单体多字存储器、多体交叉存储器

摘要: 提高存取速度的方法有: 1.使用高速元件来提高主存的访问速度 2.通过存储器的并行工作来提高主存的访问速度。 双端口存储器 两个CPU可以同时进行读写,但是如果访问的地址相同则会产生冲突 使用忙标志来解决冲突问题。 单体多字存储器 其双通道内存技术又分为:联动模式和非联动模式 多体交叉存储器 高位多 阅读全文

posted @ 2025-04-07 11:58 swj2529411658 阅读(159) 评论(0) 推荐(0)

2025年4月6日

主存的扩展及其与CPU的连接——字扩展

摘要: 一块芯片的容量为\(2^{18}B\),而该CPU需要的容量为:\(2^{地址总线位宽}\)=\(2^{21}B\),所以需要8片该芯片来扩展。 由于CPU由21个地址引脚,芯片只有18个地址引脚,CPU的前十八个引脚和芯片的十八个引脚连接,CPU的后三个引脚通过3-8译码器,分别连接对应的片选端。 阅读全文

posted @ 2025-04-06 21:10 swj2529411658 阅读(71) 评论(0) 推荐(0)

主存的扩展及其CPU的连接——位扩展

摘要: 其初始状态 进行读操作: 输入对应地址,将MREQ端设置为低电平,此时片选端有效,r/w端为高电平,所以写使能端无效,然后通过数据线和数据总线,CPU读取数据。 进行写操作: 输入对应地址,将R/W设置为低电平,此时写使能端有效,然后MREQ设置为低电平,此时片选端有效,各芯片通过各自的数据线,向C 阅读全文

posted @ 2025-04-06 20:33 swj2529411658 阅读(51) 评论(0) 推荐(0)

SRAM的读、写操作、信息保持原理

摘要: \(Vcc\)会使得\(T_3\)和\(T_4\)导通,但是哪个先导通是随机的,那么当\(T3\)先导通的时候,\(a\)点变为高电平,此时电流经由 \(a\) 点导通\(T2\),\(T2\)导通,使得 \(b\) 接地,变为低电平。 此时,\(a\) 点为1,\(b\) 点为0可以用来表示数据1 阅读全文

posted @ 2025-04-06 17:31 swj2529411658 阅读(468) 评论(0) 推荐(0)

L2-016 愿天下有情人都是失散多年的兄妹

摘要: #include <bits/stdc++.h> using namespace std; #define int long long using pii=pair<int,int>; char sex[100005]; vector<int>tr[100005]; bool vis[100005] 阅读全文

posted @ 2025-04-06 16:12 swj2529411658 阅读(20) 评论(0) 推荐(0)

基础算法模板(自用篇)

摘要: 二分 while(l<=r){ int mid=l+r>>1; if(check(mid,a)) { ans=mid; r=mid-1;//根据具体情况修改 可能这里是l=mid+1 }else { l=mid+1; } } 并查集 朴素版 //并查集也可以用来统计连通块的数量,从而进行一些操作 / 阅读全文

posted @ 2025-04-06 14:44 swj2529411658 阅读(26) 评论(0) 推荐(0)

L2-007 家庭房产

摘要: 思路在代码里 #include <bits/stdc++.h> using namespace std; #define int long long using pii=pair<int,int>; int fa[10005]; set<int>peo;//存放出现过的人的编号 struct nod 阅读全文

posted @ 2025-04-06 14:39 swj2529411658 阅读(13) 评论(0) 推荐(0)

2025年4月5日

DRAM的读写操作、刷新、恢复的原理

摘要: 这一节湖科大教书匠讲得特别好,原理梳理的很清晰,建议去b站看一看 写这个只为了自己复习方便一点 对读操作会破坏数据的理解 预充电利用列线上的寄生电容,使得每列的电压保持在\(Vcc/2\) 进行读操作时:先对对应的行线输入有效信号,这样会使其mos管导通,其存储电容若充满电,会向列线放电,若未充满电 阅读全文

posted @ 2025-04-05 18:53 swj2529411658 阅读(529) 评论(0) 推荐(0)

2025年4月2日

L2-002 链表去重

摘要: #include <bits/stdc++.h> using namespace std; #define int long long using pii=pair<double,double>; struct node{ int val; int to; }; int bj[100005];//开 阅读全文

posted @ 2025-04-02 20:28 swj2529411658 阅读(24) 评论(0) 推荐(0)

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