DRAM的读写操作、刷新、恢复的原理

这一节湖科大教书匠讲得特别好，原理梳理的很清晰，建议去b站看一看

写这个只为了自己复习方便一点

对读操作会破坏数据的理解

预充电利用列线上的寄生电容，使得每列的电压保持在\(Vcc/2\)

进行读操作时：先对对应的行线输入有效信号，这样会使其mos管导通，其存储电容若充满电，会向列线放电，若未充满电，则列线会对其充电。

那么列线上的电压会有微小的变化，通过灵敏读出/恢复放大器，便可将信号输出
灵敏器中还有锁存器，用来保存刚刚读出来的数据

因为为了读取某个数据，整行的数据被破坏了(也就是原来充满电的放电了，原来没有电的充电了)。

所以，灵敏器会根据锁存器的值将各条列线的电压拉到\(Vcc\)或者\(GND\)，以便恢复各存储元中电容的原本状态。

这样子以后，其存储元就恢复到了原来的状态。

最后给出列选通信号，便可以将列线上的数据输出到外部