2025年4月5日

DRAM的读写操作、刷新、恢复的原理

摘要： 这一节湖科大教书匠讲得特别好，原理梳理的很清晰，建议去b站看一看 写这个只为了自己复习方便一点 对读操作会破坏数据的理解 预充电利用列线上的寄生电容，使得每列的电压保持在\(Vcc/2\) 进行读操作时：先对对应的行线输入有效信号，这样会使其mos管导通，其存储电容若充满电，会向列线放电，若未充满电 阅读全文

posted @ 2025-04-05 18:53 swj2529411658 阅读(531) 评论(0) 推荐(0)

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