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cache、sram、dram、flash、otp、efuse等常用存储技术
摘要:寄存器默认值 为了保证上电之后DRAM正常工作,寄存器默认值要求如下: 上电流程 Power Ramp(Ta->Tb) 上电顺序如下: VDD1 1.8 V 先 ramp → 达到 0.5 × 1.8 V 后 VDD2H 1.05 V ramp → 达到 0.5 × 1.05 V 后 VDD2L 0 阅读全文
posted @ 2025-12-08 18:23 刘朝锋 阅读(28) 评论(0) 推荐(0)
摘要:CK_t & CK_c LPDDR5/5X的command、address使用差分时钟CK_t、CK_c; CK_t、CK_c为差分时钟,在时钟上升沿、下降沿均发送能发送command、address; CS信号只使用单沿 WCK_t & WCK_c 读写数据使用另外的差分时钟,WCK,WCK时钟也 阅读全文
posted @ 2025-12-08 16:09 刘朝锋 阅读(75) 评论(0) 推荐(0)
摘要:功能描述 LPDDR5/LPDDR5X是高速、时钟同步的SRAM,内部有一个channel,数据位宽为16bit或8bit。 BANK结构 LPDDR5支持BANK结构 8B mode:支持所有速率 4BG * 4B:速率>3200Mbps时 16B:速率<=3200Mbps时 LPDDR5X不支持 阅读全文
posted @ 2025-12-08 11:52 刘朝锋 阅读(849) 评论(0) 推荐(0)
摘要:DRAM基本单元Cell SRAM存储1bit,需要6个晶体管,面积较大,但是只要有电,数据就不会丢失。 DRAM存储1bit,只需要1T1C(1个晶体管一个电容),通过判断电容中是否有电荷,判断存储的是1还是0,晶体管用作开关。电容中的电荷会慢慢消失,因此需要定时对其进行刷新;此外,读时,电荷也会 阅读全文
posted @ 2025-12-06 20:20 刘朝锋 阅读(79) 评论(0) 推荐(0)
摘要:为什么需要cache CPU执行速度与DRAM存储器速度之间的差距越来越大,DRAM速度严重拉底了CPU的执行效率 AMAT AMAT:Average Memory Access Time;存储器平均访问时间 AMAT = Hit time + Miss rate*Miss Penalt 但是AMA 阅读全文
posted @ 2025-11-22 21:09 刘朝锋 阅读(42) 评论(0) 推荐(0)